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Experimental characteristics and performance analysis of monolithic InP-baed HEMT mixers at W-band

Auteur
YOUNGWOO KWON; PAVLIDIS, D; MARSH, P; GEOK-ING NG; BROCK, T. L
Univ. Michigan, cent. space Terahertz technology, solid state electronics lab., Ann Arbor MI 48109-2122, United States
Source

IEEE transactions on microwave theory and techniques. 1993, Vol 41, Num 1, pp 1-8 ; ref : 13 ref

CODEN
IETMAB
ISSN
0018-9480
Domaine scientifique
Electronics; Optics; Telecommunications
Editeur
Institute of Electrical and Electronics Engineers, New York, NY
Pays de publication
United States
Type de document
Article
Langue
English
Mot clé (fr)
Circuit intégré monolithique Etude expérimentale Indium Aluminium Arséniure Mixte Indium Gallium Arséniure Mixte Indium Phosphure Mélangeur hyperfréquence Performance Schéma équivalent Transistor mobilité électron élevée
Mot clé (en)
Monolithic integrated circuit Experimental study Indium Aluminium Arsenides Mixed Indium Gallium Arsenides Mixed Indium Phosphides Microwave mixer Performance Equivalent circuit High electron mobility transistor
Mot clé (es)
Circuito integrado monolítico Estudio experimental Indio Aluminio Arseniuro Mixto Indio Galio Arseniuro Mixto Indio Fosfuro Mezclador hiperfrecuencia Rendimiento Esquema equivalente Transistor movibilidad elevada electrones
Classification
Pascal
001 Sciences exactes et technologie / 001D Sciences appliquees / 001D03 Electronique / 001D03G Circuits électriques, optiques et optoélectroniques / 001D03G02 Propriétés des circuits / 001D03G02B Circuits hyperfréquences, circuits intégrés hyperfréquences, lignes de transmission hyperfréquences, circuits à ondes submillimétriques

Discipline
Electronics
Provenance
Inist-CNRS
Base de données
PASCAL
Identifiant INIST
4753656

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