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Processus non stationnaires d'accumulation et de dissipation du plasma d'électrons-trous dans les semiconducteurs dans des champs électriques intenses

Author
EFANOV, Y. M1 ; KARDO-SYSOEV, A. F; SMIRNOVA, I. A
[1] Fiz.-tekh. inst. im. A.F. Ioffe AN SSSR, Leningrad, Ussr
Source

Fizika i tehnika poluprovodnikov. = Physics and technics of semiconductors. 1987, Vol 21, Num 4, pp 620-625 ; ref : 7 ref

CODEN
FTPPA4
ISSN
0015-3222
Scientific domain
Electronics; Condensed state physics
Publisher
Nauka, Sankt-Peterburg
Publication country
Russian Federation
Document type
Article
Language
Russian
Keyword (fr)
Champ intense Champ électrique Plasma électron trou Silicium Structure multijonction Structure P+-n-n+
Keyword (en)
High field Electric field Electron hole plasma Silicon Multijunction structure
Keyword (es)
Campo intenso Campo electrico Plasma electrón hueco Silicio Estructura multiunión
Classification
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001D Applied sciences / 001D03 Electronics / 001D03F Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices / 001D03F01 Interfaces

Discipline
Electronics
Origin
Inist-CNRS
Database
PASCAL
INIST identifier
8341932

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