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ZUM NACHWEIS VON MINORITAETSTRAEGER-TRAPS IN HALBLEITERN

Other title
MISE EN EVIDENCE DES PIEGES DE PORTEURS MINORITAIRES DANS LES SEMI-CONDUCTEURS (fr)
Author
LEMKE H
AKAD. WISS. DDR, ZENTRALINST. ELEKTRONENPHYS./BERLIN 1080/DDR
Source
PHYS. STATUS SOLIDI (A), APPL. RES.; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1980; VOL. 62; NO 2; PP. 539-545; ABS. ENG; BIBL. 6 REF.
Document type
Article
Language
German
Keyword (fr)
PORTEUR CHARGE PORTEUR MINORITAIRE PIEGEAGE PORTEUR CHARGE SILICIUM PHOTOCAPACITE TRANSISTOR RECOMBINAISON PORTEUR CHARGE CENTRE RECOMBINAISON ETUDE EXPERIMENTALE DIODE COUCHE INTRINSEQUE ELECTRONIQUE
Keyword (en)
SILICON TRANSISTOR EXPERIMENTAL STUDY ELECTRONICS
Keyword (es)
ELECTRONICA
Classification
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001D Applied sciences / 001D03 Electronics

Discipline
Electronics
Origin
Inist-CNRS
Database
PASCAL
INIST identifier
PASCAL82X0144160

Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS

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