DIE ABHAENGIGKEIT DER TRAEGERBEWEGLICHKEIT IN SILIZIUM VON DER KONZENTRATION DER FREIEN LADUNGSTRAEGER. II = LA VARIATION, EN FONCTION DE LA DENSITE DES PORTEURS DE CHARGE LIBRE, DE LA MOBILITE DES PORTEURS DANS LE SILICIUMKRAUSSE J.1972; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1972; VOL. 15; NO 12; PP. 1377-1381; ABS. ANGL.; BIBL. 6 REF.Serial Issue

SPREADING RESISTANCE MEASUREMENTS ON STARTING SILICON CRYSTALS.KRAUSSE J.1976; I.E.E.E., TRANS, ELECTRON DEVICES; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 23; NO 8; PP. 974-978; BIBL. 5 REF.Article

MESSUNG DER LADUENGSTRAEGER-KONZENTRATIONSVERTEILUNG IM MITTELGEBIET EINES LEGIERTEN SILIZIUM-PSN-GLEICHRICHTERS BEI BELASTUNG IN DURCHLASSRICHTUNG = MESURE DE LA DISTRIBUTION DE LA C DES PORTEURS DE CHARGE DANS LA REGION CENTRALE DE REDRESSEURS PSN AU SI ALLIES SOLLICITES DANS LE SENS DIRECTKRAUSSE J.1972; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1972; VOL. 15; NO 8; PP. 841-848; ABS. ANGL.; BIBL. 6 REF.Serial Issue

PROBLEMS OF SURFACE MORPHOLOGY AND LAYER DEPOSITION DURING PLASMA ETCHING PROCESSES. III: SIO₂-ETCHING IN CF₄ PLASMATILLER HJ; KRAUSSE J.1982; CRYST. RES. TECHNOL. (1979); ISSN 0232-1300; DDR; DA. 1982; VOL. 17; NO 9; PP. K87-K91; BIBL. 12 REF.Article

DIE RAEUMLICHE VERTEILUNG DER REKOMBINATION IN LEGIERTEN SILIZIUM-PSN-GLEICHRICHTERN BEI BELASTUNG IN DURCHLASSRICHTUNG = LA DISTRIBUTION SPATIALE DE LA RECOMBINAISON DES PORTEURS DE CHARGE DANS DES REDRESSEURS PSN AU SI ALLIES ET POLARISES EN DIRECTDANNHAUSER F; KRAUSSE J.1973; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1973; VOL. 16; NO 8; PP. 861-873; ABS. ANGL.; BIBL. 19 REF.Serial Issue

PROBLEMS OF SURFACE MORPHOLOGY AND LAYER DEPOSITION DURING PLASMA ETCHING PROCESSES (II). SI- ETCHING IN CF₄-, CF₄/O₂- ET CF₄/H₂ PLASMASTILLER HJ; KRAUSSE J; VOIGT R et al.1982; CRYST. RES. TECHNOL. (1979); ISSN 0232-1300; DDR; DA. 1982; VOL. 17; NO 7; PP. 821-825; ABS. GER; BIBL. 12 REF.Article

ZUM EINFLUSS VON TEMPERPROZESSEN AUF WIDERSTANDSSCHWANKUNGEN IN SILIZIUMEINKRISTALLEN = SUR L'INFLUENCE DE LA TEMPERATURE SUR LES OSCILLATIONS DE CONDUCTIVITE DANS DES MONOCRISTAUX DE SILICIUMDANNHAUSER F; KRAUSSE J; MAYER K et al.1972; SOLID-STATE ELECTRON.; G.B.; DA. 1972; VOL. 15; NO 12; PP. 1383-1385; H.T. 3; ABS. ANGL.; BIBL. 11 REF.Serial Issue

Smart SIPMOS: Der intelligente Leistungsschalter = Smart SIPMOS: l'interrupteur de puissance intelligent = Smart SIPMOS: The intelligent power switchKRAUSSE, J; TIHANYI, J.Archiv für Elektrotechnik (Berlin). 1989, Vol 72, Num 2, pp 83-88, issn 0003-9039, 6 p.Article

GRAVITY CHANGES ACCOMPANYING VOLCANIC ACTIVITY AT PACAYA VOLCANO, GUATEMALA.EGGERS A; KRAUSSE J; RUSH H et al.1976; J. VOLCANOL. GEOTHERM. RES.; NETHERL.; DA. 1976; VOL. 1; NO 3; PP. 229-236; BIBL. 16 REF.; 2 ILL.Article

Spanende Werkzeuge als Innovationsmotoren = Metal cutting provide impetus for innovationKRAUSSE, J; WIENDL, J.Werkstatt und Betrieb. 1983, Vol 116, Num 9, pp 562-565, issn 0043-2792Article

Zur Darstellung und Strukturcharakterisierung von linearem Polyethylen = Préparation et analyse structurale de polyéthylène linéaire = Preparation and structure analysis of linear polyethyleneKRAUSSE, J; KÜMPFEL, W; FLAMMER-SHEIM, H. J et al.Acta polymerica. 1984, Vol 35, Num 7, pp 515-520, issn 0323-7648Article

Structural and spectral studies of di-(triphenylmethylium-hexachloroantimonate)-benzenesolvateKRAUSSE, J; HEUBLEIN, G; RUDAKOFF, G et al.Journal of crystallographic and spectroscopic research. 1991, Vol 21, Num 1, pp 45-49, issn 0277-8068, 5 p.Article