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MEASUREMENT OF STRAIN AND LATTICE PARAMETER IN EPITAXIC LAYERS.HART M; LLOYD KH.1975; J. APPL. CRYSTALLOGR.; DENM.; DA. 1975; VOL. 8; NO 1; PP. 42-44; BIBL. 4 REF.Article

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SEM OBSERVATION AND CONTRAST MECHANISM OF STACKING FAULTS IN AN EPITAXIAL SILICON LAYER.KATO T; KOYAMA H; MATSUKAWA T et al.1974; J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1974; VOL. 45; NO 9; PP. 3732-3737; BIBL. 13 REF.Article

ETUDE DES DEFAUTS DU SI OXYDE D'UNE COUCHE D'OXYDE EN COURS DE CROISSANCEPROKHOROV VI; SOROKIN LM.1973; IZVEST. AKAD. NAUK S.S.S.R., NEORG. MATER.; S.S.S.R.; DA. 1973; VOL. 9; NO 1; PP. 32-34; H.T. 1; BIBL. 15 REF.Serial Issue

PROCESSUS DE LA CROISSANCE EPITAXIQUE DES COUCHES MONOCRISTALLINES (REVUE)SHEFTAL RN.1974; ROST KRISTALLOV; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 10; PP. 48-61; BIBL. 1 P. 1/2Article

PROCESSUS DE LA CROISSANCE DES CRISTAUX ET DES FILMS PAR LA METHODE DE L'EPITAXIE COMBINEE GAZ-LIQUIDEKRAVCHENKO VS; BUDZHAN YA M; KOSYAKOV VI et al.1975; IZVEST. SIBIR. OTDEL. AKAD. NAUK S.S.S.R., KHIM. NAUK; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 2; PP. 78-95; BIBL. 1 P. 1/2Article

TRANSPORT D'IMPURETES A CARACTERE DONNEUR OU ACCEPTEUR DES SOURCES DE SILICIUM QUI SE SUBLIMENT AUX COUCHES EPITAXIQUESPOSTNIKOV VV; KUZNETSOV VP.1975; KRISTALLOGRAFIJA; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 20; NO 1; PP. 127-130; BIBL. 13 REF.Article

TRIMETHYLSTIBINE AS A SOURCE OF SB FOR DOPING EPITAXIAL SI LAYERS.MANASEVIT HM; SIMPSON WI; ERDMANN FM et al.1974; J. ELECTROCHEM. SOC.; U.S.A.; DA. 1974; VOL. 121; NO 7; PP. 967-968; BIBL. 4 REF.Article

UBER DIE EPITAXIE VON SCHICHTEN DER VERBINDUNGSHALBLEITER UND ZUR BEDEUTUNG DER HETEROEPITAXIE IN DER HALBLEITERFORSCHUNG = EPITAXIE DES COUCHES DES COMPOSES SEMICONDUCTEURS ET IMPORTANCE DE L'HETEROEPITAXIE DANS LA RECHERCHE DES SEMICONDUCTEURSALEKSANDROV LN.1972; KRISTALL U. TECH.; DTSCH.; DA. 1972; VOL. 7; NO 7; PP. 755-768; BIBL. 1 P. 1/2Serial Issue

An integrated silicon colour sensor using selective epitaxial growthBARTEK, M; GENNISSEN, P. T. J; SARRO, P et al.Sensors and actuators. A, Physical. 1994, Vol 41, Num 1-3, pp 123-128, issn 0924-4247Conference Paper

Epitaxial zirconia films on (1120) planes of sapphireRUIN, P; DAUGER, A; VILLECHAIZE, P et al.Key engineering materials. 1997, pp 49-52, issn 1013-9826, isbn 0-87849-761-7, 3VolConference Paper

Traitements de surface d'InP et contribution à l'optimisation des interfaces de reprise d'épitaxie InP(p)/InP(p) réalisées par GSMBE = InP surface treatments and optimization of InP(p)/InP(p) regrown interfaces obtained using GSMBEGallet, Didier; Hollinger, Guy.1992, 215 p.Thesis

Effets non réciproques dans des structures hétérogènes de semiconducteursBELYANTSEV, A. M; KOZLOV, V. A; MAZOV, L. S et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1983, Vol 17, Num 4, pp 655-660, issn 0015-3222Article

A new formulation of the early effect in epitaxial bipolar transistorsBODINAUD, J. A; CHEREM-SCHNEIDER, M.Solid-state electronics. 1984, Vol 27, Num 6, pp 519-525, issn 0038-1101Article

METHODES D'INTERFEROMETRIE INFRAROUGE POUR LA MESURE DES PARAMETRES DES STRUCTURES EPITAXIALES AU SILICIUM AVEC UNE COUCHE CACHEEBANKOVSKIJ YU V; VOLKOVA LV; KOKIN AA et al.1981; MIKROELEKTRONIKA; ISSN 0544-1269; SUN; DA. 1981; VOL. 10; NO 2; PP. 140-145; BIBL. 3 REF.Article

EMPLOI DE L'ABSORPTION A DEUX PHOTONS POUR ETUDIER LES HETEROSTRUCTURES EPITAXIQUES A PLUSIEURS COUCHESDVORNIKOV DP; KONNIKOV SG; PERSHIN VV et al.1977; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 11; NO 12; PP. 2355-2362; BIBL. 17 REF.Article

COMPOSITE CHALCOGENIDE-HALIDE SUBSTRATES FOR COMPARATIVE STUDIES OF THIN FILM GROWTH PHENOMENA.MARINKOVIC V; GSPAN P.1976; THIN SOLID FILMS; NETHERL.; DA. 1976; VOL. 33; NO 2; PP. L9-L11; BIBL. 6 REF.Article

ETUDE RADIOGRAPHIQUE DE LA STRUCTURE DES COUCHES EPITAXIALES PBSPALATNIK LS; FUKS M YA; ALAVERDOVA OG et al.1976; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 19; NO 3; PP. 54-58; BIBL. 9 REF.Article

THE TRANSIENT LAYER IN MAGNETIC GARNET FILMS GROWN BY LIQUID PHASE EPITAXY.DAVIES JE; GIESS EA; KUPTSIS JD et al.1975; MATER. RES. BULL.; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 10; NO 1; PP. 65-69; BIBL. 8 REF.Article

THERMOCHEMICAL ANALYSES AND OPTIMUM CONDITIONS FOR VAPOR EPITAXY OF GAAS_1-XP_X(0.7<X<0.9).TAO YUAN WU.1975; J. ELECTROCHEM. SOC.; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 122; NO 6; PP. 778-780; BIBL. 16 REF.Article

VAPOR-PHASE ETCHING AND POLISHING OF GALLIUM ARSENIDE USING HYDROGEN CHLORIDE GAS.RAJARAM BHAT; JAYANT BALIGA B; GHANDHI SK et al.1975; J. ELECTROCHEM. SOC.; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 122; NO 10; PP. 1378-1382; BIBL. 9 REF.Article

CROISSANCE EPITAXIALE DU DIAMANT A PARTIR DE CH₄ A PRESSION ATMOSPHERIQUETESNER PA; GORODETSKIJ AE; DENISEVICH EV et al.1975; DOKL. AKAD. NAUK S.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 222; NO 6; PP. 1384-1386; H.T. 1; BIBL. 9 REF.Article