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RECTIFIER STACKS WITH PRESS-FIT DIODES. A MATURE AND PROVED TECHNOLOGY.ERGANG H; PAUL E.1976; COMPON. REP.; GERM.; DA. 1976; VOL. 11; NO 1; PP. 8-11Article

NUMERICAL SOLUTIONS FOR SURFACE ELECTRIC FIELD DISTRIBUTIONS IN AVALANCHING P-I-N POWER DIODESPATHAK VK; GOWAR J.1983; IEE PROCEEDINGS. PART I. SOLID-STATE AND ELECTRON DEVICES; ISSN 0143-7100; GBR; DA. 1983; VOL. 130; NO 1; PP. 17-23; BIBL. 7 REF.Article

DIE ROLLE VON VERTEILTON PARAMETERN BEI DER ANALYSE TECHNOLOGISCHER PROZESSE DER HALBLEITERTECHNIK = LE ROLE DES PARAMETRES DISTRIBUES DANS L'ANALYSE DES PROCESSUS TECHNOLOGIQUES DE LA TECHNIQUE DES SEMI-CONDUCTEURSHEINZE W; LUDWIG J.1978; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DDR; DA. 1978; VOL. 28; NO 5; PP. 184-188; ABS. RUS/ENG; BIBL. 9 REF.Article

ETUDE DE LA STRUCTURE DIODE A BASE D'ARSENIURE DE GALLIUM FAIBLEMENT DOPEASHKINAZI GA; ZOLOTAREVSKIJ L YA; KIVI UM et al.1978; ZH. TEKH. FIZ.; SUN; DA. 1978; VOL. 48; NO 11; PP. 2389-2394; BIBL. 6 REF.Article

IMPATT-OSZILLATION UND AVALANCHEZERSTOERUNG IN SILIZIUM-LEISTUNGSDIODEN. = L'OSCILLATION IMPATT ET LA DESTRUCTION PAR AVALANCHE DES DIODES AU SILICIUM DE PUISSANCEBENDA H; HUBER P; STENGL JP et al.1975; SIEMENS FORSCH.-U. ENTWICKL.-BER.; DTSCH.; DA. 1975; VOL. 4; NO 5; PP. 293-294; ABS. ANGL.; BIBL. 5 REF.Article

LEISTUNGSHABLEITER IN SCHEIBENBAUFORM UND IHRE ANWENDUNGSMOEGLICHKEITEN. = SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE EN FORME DE DISQUES; LEURS POSSIBILITES D'EMPLOILEHMAN E; MARTIN H.1974; SIEMENS Z; DTSCH.; DA. 1974; VOL. 48; NO 10; PP. 791-798; BIBL. 8 REF.Article

POWER SCHOTTKY DIODES - A SMART CHOICE FOR FAST RECTIFIERS.COOPER D; BIXBY B; CARVER L et al.1976; ELECTRONICS; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 49; NO 3; PP. 85-89Article

VENTILTEILE FUER HOCHLEISTUNGS-STROMRICHTER MIT WASSERKUEHLUNG. = VALVES A REFROIDISSEMENT PAR EAU POUR REDRESSEURS DE GRANDES PUISSANCELEHMANN G.1976; TECH. MITT. A.E.G.-TELEFUNKEN; DTSCH; DA. 1976; VOL. 66; NO 1; PP. 15-17; BIBL. 6 REF.Article

DAS SPEZIFISCHE GRENZLASTINTEGRAL VON LEISTUNGSDIODEN UND THYRISTOREN. = L'INTEGRALE SPECIFIQUE DE CHARGE LIMITE DES DIODES DE PUISSANCE ET DES THYRISTORSWASSERRAB T.1976; BULL. ASS. SUISSE ELECTRICIENS; SUISSE; DA. 1976; VOL. 67; NO 8; PP. 394-399; ABS. FR.; BIBL. 11 REF.Article

DIODES DE PUISSANCE A BASE D'HETEROJONCTIONS AVEC UN DOMAINE DE BASE MODULE PAR LE RAYONNEMENT DE RECOMBINAISONKOROL'KOV VI; ROMANOVA EP; YUFEREV VS et al.1980; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1980; VOL. 14; NO 9; PP. 1689-1693; BIBL. 3 REF.Article

INDICES TECHNICO-ECONOMIQUES DES SYSTEMES DE REFROIDISSEMENT DES SEMICONDUCTEURS A STRUCTURE P-N DE GRAND DIAMETREKHAZEN MM; IVANOV VI; SEMENOV GM et al.1977; ELEKTROTEKHNIKA; S.S.S.R.; DA. 1977; NO 12; PP. 25-29; BIBL. 9 REF.Article

ANMERKUNGEN ZUR LINEAREN THEORIE DER SILIZIUMLEISTUNGSDIODEN. = REMARQUES SUR LA THEORIE LINEAIRE DES DIODES DE PUISSANCE AU SILICIUMWASSERRAB T.1976; ELEKTROTECH. U. MASCH.-BAU; OESTERR.; DA. 1976; VOL. 93; NO 3; PP. 97-105; BIBL. 26 REF.Article

INVESTIGATION OF ESLR EFFECTS IN THE OCVD MEASUREMENT USED FOR MINORITY CARRIER LIFETIME DETERMINATION IN HIGH POWER SILICON DIODES.BASSETT RJ.1975; INTERNATION. J. ELECTRON.; G.B.; DA. 1975; VOL. 38; NO 2; PP. 145-158; BIBL. 10 REF.Article

DIODES SCHOTTKY DE PUISSANCE. CARACTERISATION DE LA BARRIERE PAR LE BRUIT.DUSSAC P; STRECHINSKY M; REFREGIES M et al.1974; DGRST-7371359; FR.; DA. 1974; PP. 1-20; BIBL. 6 REF.; (RAPP. FINAL, ACTION CONCERTEE: COM. COMPOSANTS CIRCUITS MICROMINIATURISES)Report

DETERMINATION OF THE BULK CARRIER LIFETIME IN THE LOW-DOPED REGION OF A SILICON POWER DIODE, BY THE METHOD OF OPEN CIRCUIT VOLTAGE DECAYBASSETT RJ; FULOP W; HOGARTH CA et al.1973; INTERNATION. J. ELECTRON.; G.B.; DA. 1973; VOL. 35; NO 2; PP. 177-192; BIBL. 6 REF.Serial Issue

ELECTRON IRRADIATION - A METHOD OF PRODUCING FAST SWITCHING HIGH POWER DIODES.TARNEJA KS; BARTKO J.1975; IN: PESC'75. POWER ELECTRON. SPEC. CONF.; CULVER CITY, CALIF.; 1975; NEW YORK; INST. ELECTR. ELECTRON. ENG.; DA. 1975; PP. 269-272; BIBL. 1 REF.Conference Paper

COMPARAISON DES PARAMETRES, DES THYRISTORS ET DES DIODES DE PUISSANCE, DOPES A L'OR ET AU PLATINEASINA SS; DUMANEVICH AN; RUKHAMKIN VM et al.1979; RADIOTEKH. E EHLEKTRON.; SUN; DA. 1979; VOL. 24; NO 5; PP. 1050-1054; BIBL. 5 REF.Article

MULTIPLE PARALLELING OF POWER DIODES. = LE GROUPEMENT SERIE-PARALLELE DES DIODES DE PUISSANCEPAICE DA.1975; I.E.E.E. TRANS. INDUSTR. ELECTRON. CONTROL INSTRUMENT.; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 22; NO 2; PP. 151-158; BIBL. 3 REF.Article

NOUVELLES CONSTRUCTIONS DE REDRESSEURS AU SILICIUM DU TYPE AUTOPORTANT EN TANT QUE COMPOSANTS POUR LES GRANDES INSTALLATIONS DE REDRESSEURS.KELLER E; MENZI F.1974; REV. BROWN BOVERI; SUISSE; DA. 1974; VOL. 61; NO 9-10; PP. 424-425Article

PRISE EN CONSIDERATION DE LA CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION D'UNE DIODE SEMICONDUCTRICE LORS DU CALCUL DES REDRESSEURS DE PUISSANCEIN'KOV YU M; ISAEV IP; MARICHEV MA et al.1978; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., ELEKTROMEKH.; S.S.S.R.; DA. 1978; NO 5; PP. 567-569Article

CURRENT AND VOLTAGE WAVEFORMS FOR REVERSE SWITCHING HIGH POWER P-I-N DIODES.GEORGOPOULOS CJ.1976; I.E.E.E. J. SOLID-STATE CIRCUITS; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 11; NO 2; PP. 286-295; BIBL. 20 REF.Article

HIGH-POWER PT SCHOTTKY BARITT DIODES.AHMAD S; FREYER J.1976; ELECTRON. LETTERS; G.B.; DA. 1976; VOL. 12; NO 10; PP. 238-239; BIBL. 6 REF.Article

TRANSIENT THERMAL ANALYSIS OF SOLID-STATE POWER DEVICES - MAKING A DREADED PROCESS EASY.NEWELL WE.1975; IN: PESC'75. POWER ELECTRON. SPEC. CONF.; CULVER CITY, CALIF.; 1975; NEW YORK; INST. ELECTR. ELECTRON. ENG.; DA. 1975; PP. 234-251; BIBL. 29 REF.Conference Paper

DEVELOPPEMENT DE NOUVELLES STRUCTURES INTEGREES DE PUISSANCE A HAUT POUVOIR DE COMMUTATION. APPLICATION AU DARLISTOR ET A UNE DIODE SHOCKLEY DE PUISSANCE.CASUTT JP; PEZZANI R.1974; DGRST-7270526; FR.; DA. 1974; PP. (63P.); BIBL. 7 REF.; (RAPP. FINAL, ACTION CONCERTEE: COMPOSANTS CIRCUITS MICROMINIATURISES)Report

P-I-N DIODES FOR LOW-FREQUENCY HIGH-POWER SWITCHING APPLICATIONSCAULTON M; ROSEN A; STABILE PJ et al.1982; IEEE TRANS. MICROWAVE THEORY TECH.; ISSN 0018-9480; USA; DA. 1982; VOL. 30; NO 6; PP. 875-882; BIBL. 9 REF.Article

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