Etude des dégradations dans les diodes électroluminescentes n GaAlAs/p GaAlAs par spectroscopie de photoluminescence = Photoluminescence spectroscopic study of degradation effects in n-GaAlAs/p-GaAlAs LED'sAjroudi, Mohammed; Fortini, A.1992, 70 p.Thesis

Transistors à effet de champ à grille isolée sur hétérostructure GaAlAs/GaAs : étude, réalisation et application aux circuits intégrésAguila, Thierry; Graffeuil, Jacques.1989, 256 p.Thesis

Etude de la position des atomes d'oxygène dans le réseau de Ga_1-xAl_xAs préparé par épitaxie en phase vapeur à partir d'organométalliques = Study of the lattice location of oxygen atoms in Ga_1-xAl_xAs prepared by metalorganic vapour phase epitaxyHanna Bakraji, Elias; Debrun, Jean-Luc.1990, 108 p.Thesis

Localisation faible et interactions coulombiennes dans un gaz d'électrons 2D sous pression hydrostatique : application aux hétérojonctions GaAs/GaA1AsZekentes, Constadinos; Robert, J.-L.1989, 109 p.Thesis

Réalisation de transistors à effet de champ en AsGa par la neutralisation des donneurs légers par hydrogène atomiqueCaglio, Nathalie; Constant, Eugène.1989, 200 p.Thesis

Transport électronique et émission cyclotron en infrarouge lointain sous pression hydrostatique, dans les hétérojonctions GaAs/GaAlAs et GaInAs/InP = Electronic transport and F.I.R. cyclotron emission under hydrostatic pressure, in the GaAs/GaAlAs and GaInAs/InP heterojunctionsMulot, Jean-Yves; Robert, J. L.1989, 145 p.Thesis

Etude de la compatibilité entre les circuits récepteurs pin et les transistors à effet de champ. Extension aux transistors à haute mobilité et à confinement des porteurs du canal bi-dimensionnel = Study of the compatibility of pin detector circuits and field effect transistors. Extension to high mobility and one dimensional electron gas transistorsDa Silva, Michel; Therez, Francis.1992, 148 p.Thesis

Transistor à effet de champ à hétérojonction et à gaz d'électron à l'interface GaAs/GaAlAs : application à la détectionKendil, Djamel; Therez, Francis.1989, 133 p.Thesis

OPTIMISATION et REALISATION de DETECTEURS INFRAROUGE A base de PUITS QUANTIQUES GaAs / AlGaAs = OPTIMIZATION and REALIZATION of INFRARED DETECTORS based on GaAlAs/GaAs QUANTUM WELLSCostard, Eric; Costaro, Eric; Meyzonnette, Jean Louis et al.2001, 148 p.Thesis

Observation of phonon bottleneck in quantum box cascade lasersDRACHENKO, O; BECKER, C; RYLKOV, V et al.SPIE proceedings series. 2003, pp 347-349, isbn 0-8194-4824-9, 3 p.Conference Paper

Spatial solitons in a semiconductor microresonatorTARANENKO, V. B; GANNE, I; KUSZELEWICZ, R et al.Applied physics. B, Lasers and optics (Print). 2001, Vol 72, Num 3, pp 377-380, issn 0946-2171Article

Semiconductor laser with beam quality factor M² < 1GUOQUAN ZHOU; DAOMU ZHAO; JINXIN XU et al.Optics communications. 2001, Vol 187, Num 4-6, pp 395-399, issn 0030-4018Article

Polaritons in microcavities containing a two-dimensional electron gasQARRY, A; RAPAPORT, R; RAMON, G et al.Semiconductor science and technology. 2003, Vol 18, Num 10, pp S331-S338, issn 0268-1242Article

Measurements of linewidth variations within external-cavity modes of a grating-cavity laserGENTY, G; KAIVOLA, M; LUDVIGSEN, H et al.Optics communications. 2002, Vol 203, Num 3-6, pp 295-300, issn 0030-4018Article

The limiting capabilities of injection-laser-based recirculating optical range finders under actual temperature conditionsKOROSTIK, K. N.Journal of engineering physics and thermophysics. 2001, Vol 74, Num 2, pp 390-396, issn 1062-0125Article

GaAlAs-based micromachined accelerometerKONCZEWICZ, L; LEE, H. Y; SADOWSKI, M. L et al.Physica status solidi. B. Basic research. 2001, Vol 223, Num 2, pp 593-596, issn 0370-1972Article

Frequency doubled diode laser in alternative extended cavityMANOEL, D. A; CAVASSO-FILHO, R. L; SCALABRIN, A et al.Optics communications. 2002, Vol 201, Num 1-3, pp 157-163, issn 0030-4018Article

Carrier-induced lensing in broad-area and tapered semiconductor amplifiersHALL, D. C; SURETTE, M. R; GOLDBERG, L et al.IEEE photonics technology letters. 1994, Vol 6, Num 2, pp 186-188, issn 1041-1135Article

Investigation of the peak power enhancement available from a surface emitting GaAlAs near-infrared light emitting diode by cooling and pulsingCHAMBERS, Paul; AUSTIN, Ed A. D; GUNNING, Mark J et al.Measurement science & technology (Print). 2003, Vol 14, Num 11, pp 2006-2014, issn 0957-0233, 9 p.Article

Proposed Terahertz Bloch superlattice oscillatorANDRONOV, A; NEFEDOV, I; SOSNIN, A et al.SPIE proceedings series. 2003, pp 405-408, isbn 0-8194-4824-9, 4 p.Conference Paper

Self-suppression effect of longitudinal spatial hole burning in absorptive-grating gain-coupled DFB lasersSUDOH, T. K; NAKANO, Y; TADA, K et al.IEEE photonics technology letters. 1993, Vol 5, Num 11, pp 1276-1278, issn 1041-1135Article

Fluxoid quantization in quantum dots with Landau level edge statesKRISTENSEN, A; KENNEDY, C. J; LINDELOF, P. E et al.Semiconductor science and technology. 1995, Vol 10, Num 10, pp 1315-1322, issn 0268-1242Article

Cyclotron resonance to 100 mK of a GaAs heterojunction in the ultra-quantum limitMICHELS, J. G; HILL, S; WARBURTON, R. J et al.Surface science. 1994, Vol 305, Num 1-3, pp 33-41, issn 0039-6028Conference Paper

CONCEPTION ET EVALUATION D'AMPLIFICATEURS OPTIQUES DE PUISSANCE FONCTIONNANT DANS LES GAMMES 860 nanomètres ET 1.5 micromètres = DESIGN AND EVALUATION OF HIGH POWER OPTICAL AMPLIFIERS EMITTING AT 860 nanometers AND 1.5 MICROMETERSVergnenegre, Corinne; Lozes Dupuy, Francoise.1999, 156 p.Thesis

INCLUSION-GENERATED DISLOCATION CLUSTERS IN LIQUID PHASE EPITAXY.WOOLHOUSE GR.1977; PHILOS. MAG.; G.B.; DA. 1977; VOL. 36; NO 3; PP. 597-607; BIBL. 22 REF.Article