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NUMERICAL SOLUTIONS FOR SURFACE ELECTRIC FIELD DISTRIBUTIONS IN AVALANCHING P-I-N POWER DIODESPATHAK VK; GOWAR J.1983; IEE PROCEEDINGS. PART I. SOLID-STATE AND ELECTRON DEVICES; ISSN 0143-7100; GBR; DA. 1983; VOL. 130; NO 1; PP. 17-23; BIBL. 7 REF.Article

DIE ROLLE VON VERTEILTON PARAMETERN BEI DER ANALYSE TECHNOLOGISCHER PROZESSE DER HALBLEITERTECHNIK = LE ROLE DES PARAMETRES DISTRIBUES DANS L'ANALYSE DES PROCESSUS TECHNOLOGIQUES DE LA TECHNIQUE DES SEMI-CONDUCTEURSHEINZE W; LUDWIG J.1978; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DDR; DA. 1978; VOL. 28; NO 5; PP. 184-188; ABS. RUS/ENG; BIBL. 9 REF.Article

ETUDE DE LA STRUCTURE DIODE A BASE D'ARSENIURE DE GALLIUM FAIBLEMENT DOPEASHKINAZI GA; ZOLOTAREVSKIJ L YA; KIVI UM et al.1978; ZH. TEKH. FIZ.; SUN; DA. 1978; VOL. 48; NO 11; PP. 2389-2394; BIBL. 6 REF.Article

DIODES DE PUISSANCE A BASE D'HETEROJONCTIONS AVEC UN DOMAINE DE BASE MODULE PAR LE RAYONNEMENT DE RECOMBINAISONKOROL'KOV VI; ROMANOVA EP; YUFEREV VS et al.1980; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1980; VOL. 14; NO 9; PP. 1689-1693; BIBL. 3 REF.Article

INDICES TECHNICO-ECONOMIQUES DES SYSTEMES DE REFROIDISSEMENT DES SEMICONDUCTEURS A STRUCTURE P-N DE GRAND DIAMETREKHAZEN MM; IVANOV VI; SEMENOV GM et al.1977; ELEKTROTEKHNIKA; S.S.S.R.; DA. 1977; NO 12; PP. 25-29; BIBL. 9 REF.Article

COMPARAISON DES PARAMETRES, DES THYRISTORS ET DES DIODES DE PUISSANCE, DOPES A L'OR ET AU PLATINEASINA SS; DUMANEVICH AN; RUKHAMKIN VM et al.1979; RADIOTEKH. E EHLEKTRON.; SUN; DA. 1979; VOL. 24; NO 5; PP. 1050-1054; BIBL. 5 REF.Article

PRISE EN CONSIDERATION DE LA CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION D'UNE DIODE SEMICONDUCTRICE LORS DU CALCUL DES REDRESSEURS DE PUISSANCEIN'KOV YU M; ISAEV IP; MARICHEV MA et al.1978; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., ELEKTROMEKH.; S.S.S.R.; DA. 1978; NO 5; PP. 567-569Article

HIGH-POWER PT SCHOTTKY BARITT DIODES.AHMAD S; FREYER J.1976; ELECTRON. LETTERS; G.B.; DA. 1976; VOL. 12; NO 10; PP. 238-239; BIBL. 6 REF.Article

P-I-N DIODES FOR LOW-FREQUENCY HIGH-POWER SWITCHING APPLICATIONSCAULTON M; ROSEN A; STABILE PJ et al.1982; IEEE TRANS. MICROWAVE THEORY TECH.; ISSN 0018-9480; USA; DA. 1982; VOL. 30; NO 6; PP. 875-882; BIBL. 9 REF.Article

MEDIUM POWER DIODES WITH CONTACTS FORMED BY LASER IRRADIATIONLUTHY W; WITTMER M.1980; PHYS. LETT. SECT. A; ISSN 0375-9601; NLD; DA. 1980; VOL. 80; NO 1; PP. 96-98; BIBL. 8 REF.Article

ETUDES DE DIODES DE PUISSANCE CONSTITUEES PAR GAASALFEROV ZH I; BERGMANN YA V; KOROL'KOV VI et al.1977; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 11; NO 5; PP. 892-898; BIBL. 8 REF.Article

POWER LED TRANSMITS IMAGE1978; DIGIT. DESIGN; USA; DA. 1978; VOL. 8; NO 6; PP. 12Article

DIODES LUMINESCENTES DE PUISSANCE A BASE D'HETEROSTRUCTURES A REFLEXIONS MULTIPLES DU SYSTEME ALAS-GAASANDREEV VM; GARBUZOV DZ; DAVIDYUK N YU et al.1977; ZH. TEKH. FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 47; NO 8; PP. 1778-1781; BIBL. 5 REF.Article

DOTIEREN VON SILIZIUM DURCHE KERNUMWANDLUNG. = LE DOPAGE DU SILICIUM PAR CONVERSION NUCLEAIREHAAS E; MARTIN J; SCHNOLLER M et al.1976; SIEMENS Z.; DTSCH.; DA. 1976; VOL. 50; NO 7; PP. 509-512; BIBL. 8 REF.Article

COMMENT CHOISIR UNE DIODE RAPIDE.PETER JM; MAURICE B.1977; CAH. TECH. SESCOSEM-INFORM.; FR.; DA. 1977; NO 5; PP. 16-20; BIBL. 5 REF.Article

COMPUTER AIDED DESIGN OF ELECTRONIC CIRCUITS USING SINGLE TERM WALSH SERIESSUBBAYYAN R; MUHAMMAD ZAKARIAH K.1983; INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS THEORETICAL & EXPERIMENTAL; ISSN 0020-7217; GBR; DA. 1983; VOL. 54; NO 1; PP. 161-165; BIBL. 7 REF.Article

INTERACTION OF HIGH POWER P-I-N DIODES AND DRIVING CIRCUIT DURING FORWARD-BIAS SWITCHING.GEORGOPOULOS CJ.1976; I.E.E.E. J. SOLID-STATE CIRCUITS; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 11; NO 2; PP. 295-302; BIBL. 11 REF.Article

HIGH-POWER LOW-LOSS PIN DIODES FOR PHASED-ARRAY RADARROSEN A; MARTINELLI RU; SCHWARZMANN A et al.1979; R.C.A. REV.; USA; DA. 1979; VOL. 40; NO 1; PP. 22-58; BIBL. 22 REF.Article

LOW-LOSS HIGH-SPEED POWER DIODES.MATSUZAKI H; KARIYA T; SAKURADA S et al.1978; HITACHI REV.; JAP.; DA. 1978; VOL. 27; NO 2; PP. 103-106; BIBL. 1 REF.Article

PROGRES RECENTS DES SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCERENELLE A.1978; SCI. ET TECH.; FRA; DA. 1978; NO 54; PP. 46-57; ABS. ENGArticle

ECONOMIQUES ET DE VOLUME REDUIT: DES MODULES REDRESSEURS A DIODES ET A THYRISTORS.MAY HW; HEMPEL HP.1976; ELECTRON. MICROELECTRON. INDUSTR.; FR.; DA. 1976; NO 225; PP. 17-19Article

ZUR BERECHNUNG DER TABLETTENUEBERTEMPERATUR VON HALBLEITERBAUELEMENTEN IN DER ANTRIEBSTECHNIK. = LE CALCUL DE L'ECHAUFFEMENT DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES DANS LES SYSTEMES D'ENTRAINEMENTNIKOLOFF I; GLOEDE M.1976; ELEKTRIE; DTSCH.; DA. 1976; VOL. 30; NO 6; PP. 333-335; ABS. RUSSE ANGL.; BIBL. 6 REF.Article

METHODES DE CARACTERISATION DU CIRCUIT EQUIVALENT THERMIQUE DES DIODES ET THYRISTORS DE PUISSANCE.CATELIN H.1975; ; S.L.; DA. 1975; PP. 1-69; BIBL. 2 P.; (THESE DOCT. UNIV.; PARIS-SUD)Thesis

SILICON TECHNOLOGYSPENKE E.1979; Z. WERKSTOFFTECH.; DEU; DA. 1979; VOL. 10; NO 8; PP. 262-275; ABS. GER; BIBL. 30 REF.Article

HIGH POWER GAAS IMPATT DIODES.KOBAYASHI K; HIRACHI Y; TOYAMA Y et al.1976; FUJITSU SCI. TECH. J.; JAP.; DA. 1976; VOL. 12; NO 3; PP. 107-119; BIBL. 1 P.Article

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