kw.\*:("SEMICONDUCTOR DEVICE")
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NUMERICAL MODELING OF POWER MOSFETSNAVON DH; WANG CT.1983; SOLID-STATE ELECTRONICS; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1983; VOL. 26; NO 4; PP. 287-290; BIBL. 13 REF.Article
TWO-DIMENSIONAL NUMERICAL SIMULATION OF BIPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICES TAKING INTO ACCOUNT HEAVY DOPING EFFECTS AND FERMI STATISTICSPOLSKY BS; RIMSHANS JS.1983; SOLID-STATE ELECTRONICS; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1983; VOL. 26; NO 4; PP. 275-279; BIBL. 24 REF.Article
ON THE PHYSICS AND MODELING OF SMALL SEMICONDUCTOR DEVICES. IV: GENERALIZED, RETARDED TRANSPORT IN ENSEMBLE MONTE CARLO TECHNIQUESZIMMERMANN J; LUGLI P; FERRY DK et al.1983; SOLID-STATE ELECTRONICS; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1983; VOL. 26; NO 3; PP. 233-239; BIBL. 39 REF.Article
STRUCTURES PERIODIQUES ET LEUR APPLICATION DANS LES DISPOSITIFS OPTOELECTRONIQUES A SEMICONDUCTEURSMALAG A.1978; ROZPR. ELEKTROTECH.; POLSKA; DA. 1978; VOL. 24; NO 1; PP. 191-225; ABS. ANGL. FR. ALLEM. RUSSE; BIBL. 42 REF.Article
OPERATIONAL LIFE TESTING OF SEMICONDUCTOR DEVICESFARNHOLTZ DF.1981; WEST. ELECTR. ENG.; ISSN 0043-3659; USA; DA. 1981; VOL. 25; NO 3; PP. 3-9Article
SEQUENCE TEST METHOD FOR RELIABILITY EVALUATION OF SEMICONDUCTOR DEVICESCANDADE VS.1981; MICROELECTRON. RELIAB.; ISSN 0026-2714; GBR; DA. 1981; VOL. 21; NO 2; PP. 225-229; BIBL. 4 REF.Article
PRIMER ON HEAT SINKSLAVOCHKIN R.1979; ELECTRON. PACKAG. PRODUCT.; USA; DA. 1979; VOL. 19; NO 10; PP. 135-138; (3 P.)Article
CONVERTISSEUR DE PRESSION INTEGRE A MEMBRANE AVEC CENTRE RIGIDEPOLIVANOV PP.1978; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; UKR; DA. 1978; VOL. 21; NO 12; PP. 93-94; BIBL. 4 REF.Article
HIGH-RELIABILITY SEMICONDUCTORS: PAYING MORE DOESN'T ALWAYS PAY OFF.HNATEK ER.1977; ELECTRONICS; U.S.A.; DA. 1977; VOL. 50; NO 3; PP. 101-105Article
LA MICROANALYSE IONIQUE APPLIQUEE A L'ETUDE DES SEMICONDUCTEURS1978; TELONDE; FRA; DA. 1978; NO 2; PP. 32-33Article
RESISTANCE SEMICONDUCTRICE TENSOMETRIQUE A RECOUVREMENT DE FIXATIONKLIMOV VV.1977; IZMERITEL. TEKH.; S.S.S.R.; DA. 1977; NO 9; PP. 39; BIBL. 5 REF.Article
A STRAIN INDICATOR FOR SEMICONDUCTOR STRAIN GAUGES.RAO BSS; GOPAL RAO M.1977; J. PHYS. E; G.B.; DA. 1977; VOL. 10; NO 8; PP. 808-810; BIBL. 3 REF.Article
METHODES D'INTERFEROMETRIE INFRAROUGE POUR LA MESURE DES PARAMETRES DES STRUCTURES EPITAXIALES AU SILICIUM AVEC UNE COUCHE CACHEEBANKOVSKIJ YU V; VOLKOVA LV; KOKIN AA et al.1981; MIKROELEKTRONIKA; ISSN 0544-1269; SUN; DA. 1981; VOL. 10; NO 2; PP. 140-145; BIBL. 3 REF.Article
MODELE NON LINEAIRE D'UNE RESISTANCE DE CONTRAINTE INTEGREE AVEC JONCTION P-N ISOLANTEGRIDCHIN VA.1978; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; UKR; DA. 1978; VOL. 21; NO 12; PP. 73-77; BIBL. 5 REF.Article
VARIATION AVEC LES COORDONNEES DE LA SENSIBILITE A LA LUMIERE DE DETECTEURS SEMICONDUCTEURS DE RAYONNEMENT IONISANT.MESHCHERYAKOV AB.1978; PRIBORY TEKH. EKSPER.; SUN; DA. 1978; NO 2; PP. 242-243; BIBL. 3 REF.Article
NUMERICAL SIMULATION OF TRANSIENT PROCESSES IN 2-D BIPOLAR TRANSISTORSPOLSKY BS; RIMSHANS JS.1981; SOLID-STATE ELECTRON.; ISSN 0038-1101; GBR; DA. 1981; VOL. 24; NO 12; PP. 1081-1085; BIBL. 17 REF.Article
PLASTIC ENCAPSULATED SEMICONDUCTOR DEVICES. A BIBLIOGRAPHY.TAYLOR CH.1977; MICROELECTRON. AND RELIABIL.; G.B.; DA. 1977; VOL. 16; NO 6; PP. 701-704Article
TRANSFER MOLDING OLD SOLUTION TO NEW PROBLEMHULL JL.1981; INSUL., CIRCUITS; ISSN 0020-4544; USA; DA. 1981; VOL. 27; NO 11; PP. 19-23Article
MAGNETOMETRE MULTICANAL AVEC UTILISATION DE CONVERTISSEURS GALVANO-MAGNETORECOMBINATIONNELSVOEVODIN MA; ZINOV'EV LP; KOVALENKO AD et al.1978; PRIBORY TEKH. EKSPER.; SUN; DA. 1978; NO 6; PP. 143-145; BIBL. 10 REF.Article
SENSIBILITE A LA CONTRAINTE DES RESISTANCES DE CONTRAINTE AU SILICIUM, FILAMENTEUSES, A UNE ONDE ELASTIQUE DE DEFORMATION PULSEE DANS UN INTERVALLE DE TEMPERATURES -50 A 110OCABRAMCHUK GA.1978; PRIBORY TEKH. EKSPER.; SUN; DA. 1978; VOL. 6; NO 1; PP. 181-182; BIBL. 3 REF.Article
EPOXY MOLDING COMPOUNDS FOR SEMICONDUCTOR ENCAPSULATION.REINHART J.1977; CIRCUITS MANUF.; U.S.A.; DA. 1977; VOL. 17; NO 8; PP. 29-31Article
TEMPS DE RETABLISSEMENT ET SON LIEN AVEC LA PUISSANCE LIMITE DES DISPOSITIFS SOLIDES MICROONDES DE PROTECTIONLEBEDEV IV; ALYBIN VG; NIKULIN VV et al.1980; IZV. VYSS. UCEBN. ZAVED., RADIOELEKTRON.; ISSN 0021-3470; SUN; DA. 1980; VOL. 23; NO 10; PP. 12-19; BIBL. 19 REF.Article
SCHNELLES BESTIMMEN DES THERMISCHEN WIDERSTANDES VON HALBLEITERBAUELEMENTEN = DETERMINATION RAPIDE DE LA RESISTANCE THERMIQUE DES COMPOSANTS A SEMI-CONDUCTEURSPOEHLMANN B.1980; ELEKTRONIK (MUENCH.); ISSN 0013-5658; DEU; DA. 1980; VOL. 29; NO 22; PP. 125-127Article
KENNZEICHNUNG DES POP-CORN-RAUSCHENS (STOSSRAUSCHENS) UND PARAMETER VON HALBLEITERBAUELEMENTEN. = LA CARACTERISATION DU BRUIT DE GRENAILLE ET LES PARAMETRES DES CONSTITUANTS SEMI-CONDUCTEURSHASSE L; SPIRALSKI L.1977; NACHR.-TECH. ELEKTRON.; DTSCH.; DA. 1977; VOL. 27; NO 7; PP. 305-307; BIBL. 10 REF.Article
CARACTERISTIQUES DES TENSORESISTANCES SEMICONDUCTRICES DANS DES ONDES ELASTIQUESABRAMCHUK GA; ALEKHIN VA; VASHCHENKO AP et al.1977; PROBL. PROCHN., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1977; NO 6; PP. 116-118; BIBL. 10 REF.Article