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Simulation of thickness of electrodeposition coating

Author
OHARA, Katsuhiko1 ; YAGEZAWA, Kiyotaka2
[1] Central Research Lab., C. Uyemura & Co., Ltd., 1-5-1, Deguchi, Hirakata-shi, Osaka 573-0065, Japan
[2] Production Engineering Contorol Dept., Mitsubishi Motors Corporation, 1, Nakashinkiri, Hashime-cho, Okazaki-shi, Aichi 444-8501, Japan
Source

Hyomen gijutsu. = Journal of the Surface Finishing Society of Japan. 2002, Vol 53, Num 7, pp 480-484 ; ref : 5 ref

ISSN
0915-1869
Scientific domain
Metallurgy, welding
Publisher
Hyomen Gijutsu Kyokai, Tokyo
Publication country
Japan
Document type
Article
Language
Japanese
Keyword (fr)
Couche mince Distribution courant Dépôt métal Dépôt électrolytique Epaisseur Etude théorique Méthode élément fini Revêtement Simulation numérique Simulation Epaisseur couche Revêtement métallique Traitement surface
Keyword (en)
Thin film Current distribution Metal deposition Electrodeposition Thickness Theoretical study Finite element method Coatings Numerical simulation Simulation
Keyword (es)
Capa fina Distribución corriente Deposición metal Depósito electrolítico Espesor Estudio teórico Método elemento finito Revestimiento Simulación numérica Simulación
Keyword (de)
Duennschicht Metallbeschichten Elektroplattieren Dicke Theoretische Untersuchung Finite Element Methode Ueberzug Simulation
Classification
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001D Applied sciences / 001D11 Metals. Metallurgy / 001D11C Production techniques / 001D11C06 Surface treatment / 001D11C06D Metallic coatings

Discipline
Metals. Metallurgy
Origin
Inist-CNRS
Database
PASCAL
INIST identifier
13898658

Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS

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