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Anisotropie des propriétés de transport électrique des systèmes électroniques bidimensionnels induite par des défauts linéaires

Other title
Transport properties anisotropy of two-dimensionnal electron gas induced by linear defects (en)
Author
Bougrioua, Zahia; Farvacque, J.-L (Advisor (for a thesis or dissertation))
Université de Lille 1, Villeneuve-d'Ascq, France (Degree-grantor)
Source

Anisotropie des propriétés de transport électrique des systèmes électroniques bidimensionnels induite par des défauts linéaires. 1994, 247 p., ref : 137 ref

Thesis number
94 LIL1 0172
Document type
Thesis (Engineer's Ph.D. thesis)
Language
French
Keyword (fr)
Aluminium arséniure Composé binaire Composé ternaire Dislocation Défaut linéaire Effet Hall quantique Effet Shubnikov de Haas Etat défaut Gallium arséniure Hétérostructure Indium arséniure Magnétorésistance Mobilité porteur charge Piégeage Semiconducteur Système 2 dimensions Al As Ga As Ga In As Ga GaAlAs GaAs GaInAs Composé minéral
Keyword (en)
Aluminium arsenides Binary compounds Ternary compounds Dislocations Line defects Quantum Hall effect Shubnikov-de Haas effect Defect states Gallium arsenides Heterostructures Indium arsenides Magnetoresistance Carrier mobility Trapping Semiconductor materials Two-dimensional systems Inorganic compounds
Keyword (es)
Semiconductor(material)
Classification
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001B Physics / 001B70 Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties / 001B70C Electronic structure and electrical properties of surfaces, interfaces, thin films and low-dimensional structures / 001B70C40 Electronic transport in interface structures / 001B70C40K Iii-v semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions

Pacs
7340K III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions

Discipline
Physics of condensed state : electronic structure, electrical, magnetic and optical properties
Origin
Inist-CNRS
Database
PASCAL
INIST identifier
165478

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