Pascal and Francis Bibliographic Databases

Help

Export

Selection :

Permanent link
http://pascal-francis.inist.fr/vibad/index.php?action=getRecordDetail&idt=197706

REMPLACEMENT DU TaSi2 PAR WSi2 POUR LA REALISATION DES GRILLES DES TRANSISTORS DES CELLULES DES MEMOIRES EEPROM : OPTIMISATION DU PROCEDE

Other title
IMPACT OF FLOATING GATE SILICIDE TYPE ON EEPROM PERFORMANCE : TRANSFERT FROM TaSi2 to WSi2 AND PROCESS OPTIMISATION (en)
Author
Ogier Monnier, Karine; Bonnaud, Olivier (Advisor (for a thesis or dissertation))
Université de Rennes 1, Rennes, France (Degree-grantor)
Source

REMPLACEMENT DU TaSi2 PAR WSi2 POUR LA REALISATION DES GRILLES DES TRANSISTORS DES CELLULES DES MEMOIRES EEPROM : OPTIMISATION DU PROCEDE. 1999, 139 p., ref : 140 ref

Thesis number
99 REN1 0049
Document type
Thesis (New Ph.D. thesis)
Language
French
Keyword (fr)
Couche oxyde Croissance cristalline en phase vapeur Fabrication microélectronique Grille transistor Mémoire EEPROM Optimisation Procédé dépôt Précurseur Réduction chimique Silane Technologie MOS complémentaire Tungstène siliciure Silane dichloro
Keyword (en)
Oxide layer Crystal growth from vapors Microelectronic fabrication Transistor gate EEPROM memory Optimization Deposition process Precursor Chemical reduction Silane Complementary MOS technology Tungsten silicide
Keyword (es)
Capa óxido Fabricación microeléctrica Rejilla transistor Memoria EEPROM Optimización Procedimiento revestimiento Precursor Reducción química Silano Tecnología MOS complementario Wolframio siliciuro
Classification
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001B Physics / 001B80 Cross-disciplinary physics: materials science; rheology / 001B80A Materials science / 001B80A15 Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy / 001B80A15H Molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy

Pascal
001 Exact sciences and technology / 001D Applied sciences / 001D03 Electronics / 001D03F Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices / 001D03F17 Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology)

Pacs
8115H Molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy

Pacs
8540S Deposition technology

Discipline
Electronics Physics and materials science
Origin
Inist-CNRS
Database
PASCAL
INIST identifier
197706

Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS

Searching the Web