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Temperature and well number dependence of exciton localization in InGaN/GaN quantum wells

Auteur
PECHARROMAN-GALLEGO, R1
[1] Centro Láser-U.P.M., Universidad Politécnica de Madrid, Edificio Tecnológico 'La Arboleda', Carretera de Valencia km 7.300, 28031 Madrid, Spain
Source

Semiconductor science and technology. 2007, Vol 22, Num 12, pp 1276-1281, 6 p ; ref : 27 ref

CODEN
SSTEET
ISSN
0268-1242
Domaine scientifique
Electronics; Optics; Condensed state physics
Editeur
Institute of Physics, Bristol
Pays de publication
United Kingdom
Type de document
Article
Langue
English
Mot clé (fr)
Exciton localisé Facteur de Huang Rhys Fluctuation Méthode fonction Green Nitrure d'indium Nitrure de gallium Photoluminescence Puits quantique GaN InGaN
Mot clé (en)
Localized exciton Huang Rhys factor Fluctuations Green's function methods Indium nitride Gallium nitride Photoluminescence Quantum wells
Mot clé (es)
Excitón localizado Factor Huang Rhys Indio nitruro Galio nitruro
Classification
Pascal
001 Sciences exactes et technologie / 001B Physique / 001B70 Etat condense: structure electronique, proprietes electriques, magnetiques et optiques / 001B70H Propriétés optiques, spectroscopie et autres interactions de la matière condensée avec les particules et le rayonnement / 001B70H67 Propriétés optiques des structures de basse dimensionnalité, mésoscopiques, des nanostructures et nanomatériaux / 001B70H67D Puits quantiques

Discipline
Physics of condensed state : electronic structure, electrical, magnetic and optical properties
Provenance
Inist-CNRS
Base de données
PASCAL
Identifiant INIST
19913200

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