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Two-phases epitaxial growth of erbium silicide on Si ( 1 0 0)

Autor
FRANGIS, N1
[1] Solid State Physics Section, Department of Physics, Aristotle University of Thessaloniki, 54124 Thessaloniki, Greece
Fuente

Physica. E, low-dimentional systems and nanostructures. 2010, Vol 43, Num 1, pp 176-181, 6 p ; ref : 22 ref

ISSN
1386-9477
Campo Científico
Crystallography; Electronics; Condensed state physics
Editor
Elsevier, Amsterdam
País de la publicación
Netherlands
Tipo de documento
Article
Idioma
English
Palabra clave (fr)
Couche épitaxique Epitaxie Face cristalline Interface Microscopie électronique Mécanisme croissance Réseau hexagonal Réseau quadratique Surcouche 6146 Substrat silicium
Palabra clave (in)
Epitaxial layers Epitaxy Crystal faces Interfaces Electron microscopy Growth mechanism Hexagonal lattices Tetragonal lattices Overlayers
Palabra clave (es)
Mecanismo crecimiento
Clasificación
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001B Physics / 001B60 Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties / 001B60A Structure of solids and liquids; crystallography / 001B60A46 Nanoscale materials: clusters, nanoparticles, nanotubes, and nanocrystals

Disciplina
Physics of condensed state : structure, mechanical and thermal properties
Procedencia
Inist-CNRS
Base de datos
PASCAL
Identificador INIST
23625304

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