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Mesoporous Germanium formed by bipolar electrochemical etching

Author
TUTASHKONKO, S1 2 ; BOUCHERIF, A2 ; NYCHYPORUK, T1 ; KAMINSKI-CACHOPO, A3 ; ARES, R2 ; LEMITI, M1 ; AIMEZ, V2
[1] Institutdes Nanotechnologies de Lyon (INL), Universite de Lyon, UMR CNRS 5270, INSA de Lyon, Villeurbanne 69621, France
[2] Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique (3IT), Universite de Sherbrooke, Québec, J1K 2R1, Canada
[3] L'Institut de Microélectronique Electromagnétisme et Photonique et le Laboratoire d'Hyperfréquences et de Caractérisation (IMEP-LAHC), Grenoble INP, UMR CNRS 5130, Grenoble 38016, France
Source

Electrochimica acta. 2013, Vol 88, pp 256-262, 7 p ; ref : 35 ref

CODEN
ELCAAV
ISSN
0013-4686
Scientific domain
General chemistry, physical chemistry; Metallurgy, welding
Publisher
Elsevier, Kidlington
Publication country
United Kingdom
Document type
Article
Language
English
Author keyword
Bipolar electrochemical etching Mesoporous materials Porous Germanium
Keyword (fr)
Bipolaire Germanium Gravure électrochimique Matériau poreux Mésoporosité Propriété physicochimique Traitement surface
Keyword (en)
Bipolar Germanium Electrochemical etching Porous material Mesoporosity Physicochemical properties Surface treatment
Keyword (es)
Bipolar Germanio Grabado electroquímico Material poroso Mesoporosidad Propiedad fisicoquímica Tratamiento superficie
Classification
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001C Chemistry / 001C01 General and physical chemistry / 001C01H Electrochemistry / 001C01H01 General

Discipline
General chemistry and physical chemistry
Origin
Inist-CNRS
Database
PASCAL
INIST identifier
26849973

Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS

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