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Thermally-induced crystallization behaviour of 80GeSe2-20Ga2Se3 glass as probed by combined X-ray diffraction and PAL spectroscopy

Autor
SHPOTYUK, O1 2 ; CALVEZ, L3 ; PETRACOVSCHI, E3 ; KLYM, H4 ; INGRAM, A5 ; DEMCHENKO, P6
[1] Scientific Research Company Carat, 202, Stryjska str., Lviv 79031, Ukraine
[2] Institute of Physics of Jan Dlugosz University, 13/15, al. Armii Krajowej, Czestochowa 42201, Poland
[3] Equipe Verres et Céramiques, UMR-CNRS 6226, Institute des Sciences chimiques de Rennes, Université de Rennes 1, 35042 Rennes, France
[4] Lviv polytechnic National University, 12 Bandera str., Lviv 79013, Ukraine
[5] Physics Faculty of Opole University of Technology, 75, Ozimska str., Opole 45370, Poland
[6] Ivan Franko National University of Lviv, 6, Kyryla & Mefodiya Str., Lviv 79005, Ukraine
Fuente

Journal of alloys and compounds. 2014, Vol 582, pp 323-327, 5 p ; ref : 44 ref

ISSN
0925-8388
Campo Científico
Inorganic chemistry; Crystallography; Metallurgy, welding; Condensed state physics
Editor
Elsevier, Kidlington
País de la publicación
United Kingdom
Tipo de documento
Article
Idioma
English
Palabra clave de autor
Annealing Chalcogenide glass Crystallization Positron annihilation Trapping
Palabra clave (fr)
Annihilation positon Cristallisation Diffraction RX Défaut Recuit thermique Séléniure de gallium Séléniure de germanium Transformation phase Verre chalcogénure
Palabra clave (in)
Positron annihilation Crystallization XRD Defects Thermal annealing Gallium selenides Germanium selenides Phase transformations Chalcogenide glasses
Palabra clave (es)
Recocido térmico
Clasificación
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001B Physics / 001B80 Cross-disciplinary physics: materials science; rheology / 001B80A Materials science / 001B80A10 Methods of crystal growth; physics of crystal growth / 001B80A10J Growth from solid phases (including multiphase diffusion and recrystallization)

Disciplina
Physics and materials science
Procedencia
Inist-CNRS
Base de datos
PASCAL
Identificador INIST
28264096

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