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Accelerated atomistic simulation study on the stability and mobility of carbon tri-interstitial cluster in cubic SiC

Autor
JIANG, H1 ; JIANG, C2 ; MORGAN, D1 2 ; SZLUFARSKA, I1 2
[1] Materials Science Program, University of Wisconsin, Madison, WI, United States
[2] Department of Materials Science & Engineering, University of Wisconsin, Madison, WI, United States
Fuente

Computational materials science. 2014, Vol 89, pp 182-188, 7 p ; ref : 39 ref

ISSN
0927-0256
Campo Científico
Condensed state physics
Editor
Elsevier, Amsterdam
País de la publicación
Netherlands
Tipo de documento
Article
Idioma
English
Palabra clave de autor
Defect cluster Irradiation damage Kinetics SiC k-ART
Palabra clave (fr)
Amas interstitiel Barrière énergie Boucle dislocation Calcul ab initio Carbure de silicium Cinétique Effet rayonnement Haute température Modèle atomistique Mouvement défaut cristallin Recuit Stabilité thermique SiC
Palabra clave (in)
Interstitial cluster Energy barrier Dislocation loops Ab initio calculations Silicon carbide Kinetics Radiation effects High temperature Atomistic model Crystal defect motion Annealing Thermal stability
Palabra clave (es)
Cúmulo intersticial Barrera energía Silicio carburo Alta temperatura Modelo atomistico Movimiento defecto cristalino
Clasificación
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001B Physics / 001B60 Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties / 001B60A Structure of solids and liquids; crystallography / 001B60A72 Defects and impurities in crystals; microstructure / 001B60A72J Point defects (vacancies, interstitials, color centers, etc.) and defect clusters

Disciplina
Physics of condensed state : structure, mechanical and thermal properties
Procedencia
Inist-CNRS
Base de datos
PASCAL
Identificador INIST
28478856

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