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An atomic force microscopy study on the roughness of silicon wafers correlated with direct wafer bonding

Auteur
ROBERDS, B. E1 ; FARRENS, S. N1
[1] Department of Chemical Engineering and Materials Science, Engineering Unit II, University of California, Davis, California 95616, United States
Source

Journal of the Electrochemical Society. 1996, Vol 143, Num 7, pp 2365-2371 ; ref : 10 ref

CODEN
JESOAN
ISSN
0013-4651
Domaine scientifique
General chemistry, physical chemistry; Crystallography; Electrical engineering; Condensed state physics
Editeur
Electrochemical Society, Pennington, NJ
Pays de publication
United States
Type de document
Article
Langue
English
Mot clé (fr)
Analyse surface Caractéristique spectrale Dimension fractale Fabrication microélectronique Microscopie force atomique Pastille électronique Processus fabrication Rugosité Silicium Spectre puissance Topographie Fixabilité Fixation pastille Image IR
Mot clé (en)
Surface analysis Spectral data Fractal dimension Microelectronic fabrication Atomic force microscopy Wafer Production process Roughness Silicon Power spectrum Topography Wafer bonding
Mot clé (es)
Análisis superficie Característica espectral Dimensión fractal Fabricación microeléctrica Microscopía fuerza atómica Pastilla electrónica Proceso fabricación Rugosidad Silicio Espectro potencia Topografía
Classification
Pascal
001 Sciences exactes et technologie / 001D Sciences appliquees / 001D03 Electronique / 001D03F Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide / 001D03F17 Fabrication microélectronique (technologie des matériaux et des surfaces)

Discipline
Electronics
Provenance
Inist-CNRS
Base de données
PASCAL
Identifiant INIST
3161733

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