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Photoemission study of the negative electron affinity surfaces of O/Cs/Si(001)2×1 and O/K/Si(001)2×1

Autor
ABUKAWA, T; ENTA, Y; KASHIWAKURA, T; SUZUKI, S; KONO, S; SAKAMOTO, T
Tohoku univ., fac. sci., dep. physics, Sendai 980, Japan
Fuente

Journal of vacuum science and technology. A. Vacuum, surfaces, and films. 1990, Vol 8, Num 4, pp 3205-3209 ; ref : 20 ref

CODEN
JVTAD6
ISSN
0734-2101
Campo Científico
Metallurgy, welding; Physics
Editor
American Institute of Physics, Melville, NY
País de la publicación
United States
Tipo de documento
Article
Idioma
English
Palabra clave (fr)
Diffraction RX Microstructure Spectrométrie photoélectron Surface Affinité électronique négative Coadsorption
Palabra clave (in)
X ray diffraction Microstructure Photoelectron spectrometry Surface
Palabra clave (es)
Difracción RX Microestructura Espectrometría fotoelectrón Superficie
Clasificación
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001B Physics / 001B60 Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties / 001B60H Surfaces and interfaces; thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties) / 001B60H90 Other topics in structure, and nonelectronic properties of surfaces and interfaces; thin films and whiskers

Disciplina
Physics of condensed state : structure, mechanical and thermal properties
Procedencia
Inist-CNRS
Base de datos
PASCAL
Identificador INIST
4423687

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