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Effects of conventional and rapid thermal annealing on minority carrier diffusion length in float zone and Czochralski silicon crystals

Autor
BARHDADI, A1 ; AMZIL, H1 ; M'GAFAD, N1 ; BIAZ, T1 ; EICHHAMMER, W2 ; MULLER, J. C2 ; SIFFERT, P2
[1] E. N. sup. Takaddoum, lab. physique semi-conductors énergie solaire, Rabat, Morocco
[2] CNRS, cent. rech. nucléaires, 67037 Strasbourg, France
Titulo de la conferencia
REMCES V : Rencontre marocaine sur la chimie de l'état solide
Nombre de la conferencia
REMCES V : Rencontre marocaine sur la chimie de l'état solide (5 ; Casablanca 1991-10-30)
Autor ( monografía)
ARIDE, J (Editor)1 ; BOUKHARI, A (Editor); EL JAZOULI, A (Editor); LAMIRE, M (Editor); MAN SOURI, I (Editor); MOUSSA, R (Editor); RAFIQ, M (Editor); ZAHIR, M (Editor)
[1] Ecole normale supérieure, lab. physiochimie matériaux, Rabat, Morocco
Fuente

Journal of alloys and compounds. 1992, Vol 188, pp 221-224 ; ref : 15 ref

ISSN
0925-8388
Campo Científico
Inorganic chemistry; Crystallography; Metallurgy, welding; Condensed state physics
Editor
Elsevier, Lausanne
País de la publicación
Switzerland
Tipo de documento
Conference Paper
Idioma
English
Palabra clave (fr)
Diffusion porteur charge Diffusion thermique Méthode Czochralski Recuit thermique rapide Semiconducteur Silicium
Palabra clave (in)
Charge carrier scattering Thermal diffusion Czochralski method Rapid thermal annealing Semiconductor materials Silicon
Palabra clave (es)
Difusión portador carga Difusión térmica Método Czochralski Recocido térmico rápido Semiconductor(material) Silicio
Clasificación
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001B Physics / 001B70 Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties / 001B70B Electronic transport in condensed matter / 001B70B20 Conductivity phenomena in semiconductors and insulators

Disciplina
Physics of condensed state : electronic structure, electrical, magnetic and optical properties
Procedencia
Inist-CNRS
Base de datos
PASCAL
Identificador INIST
4592797

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