Electrical properties of p-type HgCdTe/ZnS interfaces
- Autor
- HAO-XIN YUAN; FEI-MING TONG; DING-YUAN TANG
Acad. sinica, Shanghai inst. tech. physics, Shanghai 200083, China - Fuente
Optical engineering (Bellingham. Print). 1993, Vol 32, Num 3, pp 608-612 ; ref : 14 ref
- CODEN
- OPEGAR
- ISSN
- 0091-3286
- Campo Científico
- Electronics; Optics; Telecommunications
- Editor
- Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers, Bellingham, WA
- País de la publicación
- United States
- Tipo de documento
- Article
- Idioma
- English
- Palabra clave (fr)
- Cadmium Mercure Tellurure Mixte Capacité électrique Cristal Interface Isolant Méthode mesure Passivation Propriété électrique Solide Traitement surface Zinc Séléniure Caractéristique tension capacité électrique Dispositif métal isolant semiconducteur Passivation surface
- Palabra clave (in)
- Cadmium Mercury Tellurides Mixed Capacitance Crystals Interface Insulating material Measurement method Passivation Electrical properties Solid Surface treatment Zinc Selenides
- Palabra clave (es)
- Cadmio Mercurio Telururo Mixto Capacitancia Cristal Interfase Aislante Método medida Pasivación Propiedad eléctrica Sólido Tratamiento superficie Zinc Seleniuro
- Clasificación
- Pascal
- 001 Exact sciences and technology / 001B Physics / 001B70 Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties / 001B70B Electronic transport in condensed matter / 001B70B20 Conductivity phenomena in semiconductors and insulators
- Disciplina
- Physics of condensed state : electronic structure, electrical, magnetic and optical properties
- Procedencia
- Inist-CNRS
- Base de datos
- PASCAL
- Identificador INIST
- 4715337
Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS
Install on your browser
DOI
10.1117/12.61042 
https://dx.doi.org/10.1117/12.61042
