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Anomalous carrier level dependence of normal resistivity of La2-xSrxCuO4

Autor
SUGAHARA, M; JIAN-FEI JIANG
Yokohama national univ., fac. eng., Hodogaya, Yokohama 240, Japan
Fuente

Applied physics letters. 1993, Vol 63, Num 2, pp 255-256 ; ref : 5 ref

CODEN
APPLAB
ISSN
0003-6951
Campo Científico
Crystallography; Electronics; Optics; Condensed state physics
Editor
American Institute of Physics, Melville, NY
País de la publicación
United States
Tipo de documento
Article
Idioma
English
Palabra clave (fr)
Anomalie Composition chimique Composé minéral Concentration porteur charge Conductivité électrique Cuivre Lanthane Strontium Oxyde Mixte Etude expérimentale Solution solide Supraconducteur haute température Trou Etat normal Lanthanide Composé Métal transition Composé
Palabra clave (in)
Anomaly Chemical composition Inorganic compound Charge carrier concentration Electrical conductivity Copper Lanthanum Strontium Oxides Mixed Experimental study Solid solution High temperature superconductor Hole Lanthanide Compounds Transition metal Compounds
Palabra clave (es)
Anomalía Composición química Compuesto inorgánico Concentración portador carga Conductividad eléctrica Cobre Lantano Estroncio Óxido Mixto Estudio experimental Solución sólida Supraconductor alta temperatura Hoyo Lantánido Compuesto Metal transición Compuesto
Clasificación
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001B Physics / 001B70 Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties / 001B70B Electronic transport in condensed matter / 001B70B80 Conductivity of specific materials

Disciplina
Physics of condensed state : electronic structure, electrical, magnetic and optical properties
Procedencia
Inist-CNRS
Base de datos
PASCAL
Identificador INIST
4825255

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