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Positron annihilation in defective Ga2S3 and Ga2Se3 crystals doped with transition and rare-earth elements

Autor
ASKEROV, I. M; MASTEROV, V. F; KONDRAT'EV, V. N; BINNATOV, K. G; ASLANOV, G. K; MEKHRABOV, A. O; GADZHIEV, KH. F
Azerbaidzhan structural eng. inst., Baku, Ussr
Fuente

Soviet physics. Solid state. 1991, Vol 33, Num 12, pp 1954-1956 ; ref : 6 ref

ISSN
0038-5654
Campo Científico
Condensed state physics
Editor
American Institute of Physics, New York, NY
País de la publicación
United States
Tipo de documento
Article
Idioma
English
Palabra clave (fr)
Annihilation positon Composé minéral Distribution angulaire Dopage Durée vie Etude expérimentale Europium Fer Gallium Sulfure Gallium Séléniure Manganèse Piégeage porteur charge
Palabra clave (in)
Positron annihilation Inorganic compound Angular distribution Doping Lifetime Experimental study Europium Iron Gallium Sulfides Gallium Selenides Manganese Charge carrier trapping
Palabra clave (es)
Aniquilación positón Compuesto inorgánico Distribución angular Doping Tiempo vida Estudio experimental Europio Hierro Galio Sulfuro Galio Seleniuro Manganeso Captura portador carga
Clasificación
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001B Physics / 001B70 Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties / 001B70A Electron states / 001B70A60 Positron states

Disciplina
Physics of condensed state : electronic structure, electrical, magnetic and optical properties
Procedencia
Inist-CNRS
Base de datos
PASCAL
Identificador INIST
5399494

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