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Positron states at vancancy-impurity pairs in semiconductors

Autor
MAKINEN, S1 ; PUSKA, M. J
[1] Univ. Jyväskylä, dep. physics, Jyväskylä 40100, Finland
Fuente

Physical review. B, Condensed matter. 1989, Vol 40, Num 18, pp 12523-12526 ; ref : 28 ref

CODEN
PRBMDO
ISSN
0163-1829
Campo Científico
Crystallography; Metallurgy, welding; Condensed state physics
Editor
American Institute of Physics, Woodbury, NY / American Physical Society, Woodbury, NY
País de la publicación
United States
Tipo de documento
Article
Idioma
English
Palabra clave (fr)
Annihilation positon Approximation densité locale Densité électron Durée vie Défaut complexe Etude théorique Lacune Positon Semiconducteur Structure électronique
Palabra clave (in)
Positron annihilation Local density approximation Electron density Lifetime Complex defect Theoretical study Vacancy Positron Semiconductor materials Electronic structure
Palabra clave (es)
Aniquilación positón Aproximación densidad local Densidad electrón Tiempo vida Defecto complejo Estudio teórico Cavidad Positrón Semiconductor(material) Estructura electrónica
Clasificación
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001B Physics / 001B70 Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties / 001B70A Electron states / 001B70A60 Positron states

Disciplina
Physics of condensed state : electronic structure, electrical, magnetic and optical properties
Procedencia
Inist-CNRS
Base de datos
PASCAL
Identificador INIST
6784406

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