Utilisation de la mesure des impédances électrochimiques et opto-électrochimiques pour la caractérisation électrique des structures solution électrolytique, diélectrique/semiconducteur (EDS)
- Other title
- Utilisation of electrochemical and opto-chemical impedance measurements for the electrical characterization of electrolyte solution/dielectric/semiconductor structures (E.D.S.) (en)
- Author
- STRILOT, Yves; MARTIN, Jean-René
Ec. cent. Lyon (Degree-grantor) - Source
Utilisation de la mesure des impédances électrochimiques et opto-électrochimiques pour la caractérisation électrique des structures solution électrolytique, diélectrique/semiconducteur (EDS). 1986, 200 p, ref : 77 ref
- Thesis number
- 86 ECDL 0013
- Scientific domain
- Sci. matér
- Document type
- Thesis (New Ph.D. thesis)
- Language
- French
- Keyword (fr)
- Cartographie Chute tension Contact isolant semiconducteur Eclairement Etat surface Faisceau laser Fréquence Impédance Polarisation Structure MIS
- Keyword (en)
- Cartography Voltage fall Semiconductor insulator contact Illumination Surface conditions Laser beam Frequency Impedance Polarization MIS structure
- Keyword (es)
- Cartografía Caída tensión Contacto aislante semiconductor Alumbrado Estado superficie Haz láser Frecuencia Impedancia Polarización Estructura MIS
- Classification
- Pascal
- 001 Exact sciences and technology / 001D Applied sciences / 001D03 Electronics / 001D03F Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices / 001D03F01 Interfaces
- Discipline
- Electronics
- Origin
- Inist-CNRS
- Database
- PASCAL
- INIST identifier
- 7476550
Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS
Install on your browser
"O:13:\"PanistOpenUrl\":36:{s:10:\"\u0000*\u0000openUrl\";N;s:6:\"\u0000*\u0000idc\";N;s:6:\"\u0000*\u0000fmt\";s:4:\"book\";s:6:\"\u0000*\u0000doi\";s:0:\"\";s:6:\"\u0000*\u0000pii\";s:0:\"\";s:7:\"\u0000*\u0000pmid\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000atitle\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000jtitle\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000stitle\";s:0:\"\";s:7:\"\u0000*\u0000date\";s:4:\"1986\";s:9:\"\u0000*\u0000volume\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000issue\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000spage\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000epage\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000pages\";s:5:\"200 p\";s:7:\"\u0000*\u0000issn\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000eissn\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000aulast\";s:7:\"STRILOT\";s:10:\"\u0000*\u0000aufirst\";s:4:\"Yves\";s:9:\"\u0000*\u0000auinit\";s:0:\"\";s:10:\"\u0000*\u0000auinitm\";s:0:\"\";s:5:\"\u0000*\u0000au\";a:1:{i:0;s:18:\"MARTIN, Jean-Ren\u00e9\";}s:9:\"\u0000*\u0000aucorp\";s:0:\"\";s:7:\"\u0000*\u0000isbn\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000coden\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000genre\";s:4:\"book\";s:7:\"\u0000*\u0000part\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000btitle\";s:197:\"Utilisation de la mesure des imp\u00e9dances \u00e9lectrochimiques et opto-\u00e9lectrochimiques pour la caract\u00e9risation \u00e9lectrique des structures solution \u00e9lectrolytique, di\u00e9lectrique\/semiconducteur (EDS)\";s:8:\"\u0000*\u0000title\";s:197:\"Utilisation de la mesure des imp\u00e9dances \u00e9lectrochimiques et opto-\u00e9lectrochimiques pour la caract\u00e9risation \u00e9lectrique des structures solution \u00e9lectrolytique, di\u00e9lectrique\/semiconducteur (EDS)\";s:8:\"\u0000*\u0000place\";s:0:\"\";s:6:\"\u0000*\u0000pub\";s:0:\"\";s:10:\"\u0000*\u0000edition\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000tpages\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000series\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000proxy\";s:30:\"http:\/\/proxyout.inist.fr:8080\/\";s:12:\"\u0000*\u0000integrite\";b:1;}"
Panist access
"O:12:\"IstexOpenUrl\":35:{s:10:\"\u0000*\u0000openUrl\";N;s:6:\"\u0000*\u0000fmt\";s:4:\"book\";s:6:\"\u0000*\u0000doi\";s:0:\"\";s:6:\"\u0000*\u0000pii\";s:0:\"\";s:7:\"\u0000*\u0000pmid\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000atitle\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000jtitle\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000stitle\";s:0:\"\";s:7:\"\u0000*\u0000date\";s:4:\"1986\";s:9:\"\u0000*\u0000volume\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000issue\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000spage\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000epage\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000pages\";s:5:\"200 p\";s:7:\"\u0000*\u0000issn\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000eissn\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000aulast\";s:7:\"STRILOT\";s:10:\"\u0000*\u0000aufirst\";s:4:\"Yves\";s:9:\"\u0000*\u0000auinit\";s:0:\"\";s:10:\"\u0000*\u0000auinitm\";s:0:\"\";s:5:\"\u0000*\u0000au\";a:1:{i:0;s:18:\"MARTIN, Jean-Ren\u00e9\";}s:9:\"\u0000*\u0000aucorp\";s:0:\"\";s:7:\"\u0000*\u0000isbn\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000coden\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000genre\";s:4:\"book\";s:7:\"\u0000*\u0000part\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000btitle\";s:197:\"Utilisation de la mesure des imp\u00e9dances \u00e9lectrochimiques et opto-\u00e9lectrochimiques pour la caract\u00e9risation \u00e9lectrique des structures solution \u00e9lectrolytique, di\u00e9lectrique\/semiconducteur (EDS)\";s:8:\"\u0000*\u0000title\";s:197:\"Utilisation de la mesure des imp\u00e9dances \u00e9lectrochimiques et opto-\u00e9lectrochimiques pour la caract\u00e9risation \u00e9lectrique des structures solution \u00e9lectrolytique, di\u00e9lectrique\/semiconducteur (EDS)\";s:8:\"\u0000*\u0000place\";s:0:\"\";s:6:\"\u0000*\u0000pub\";s:0:\"\";s:10:\"\u0000*\u0000edition\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000tpages\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000series\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000proxy\";s:30:\"http:\/\/proxyout.inist.fr:8080\/\";s:12:\"\u0000*\u0000integrite\";b:1;}"
Istex access
"O:16:\"EuropePMCOpenUrl\":35:{s:10:\"\u0000*\u0000openUrl\";N;s:6:\"\u0000*\u0000fmt\";s:4:\"book\";s:6:\"\u0000*\u0000doi\";s:0:\"\";s:6:\"\u0000*\u0000pii\";s:0:\"\";s:7:\"\u0000*\u0000pmid\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000atitle\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000jtitle\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000stitle\";s:0:\"\";s:7:\"\u0000*\u0000date\";s:4:\"1986\";s:9:\"\u0000*\u0000volume\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000issue\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000spage\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000epage\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000pages\";s:5:\"200 p\";s:7:\"\u0000*\u0000issn\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000eissn\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000aulast\";s:7:\"STRILOT\";s:10:\"\u0000*\u0000aufirst\";s:4:\"Yves\";s:9:\"\u0000*\u0000auinit\";s:0:\"\";s:10:\"\u0000*\u0000auinitm\";s:0:\"\";s:5:\"\u0000*\u0000au\";a:1:{i:0;s:18:\"MARTIN, Jean-Ren\u00e9\";}s:9:\"\u0000*\u0000aucorp\";s:0:\"\";s:7:\"\u0000*\u0000isbn\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000coden\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000genre\";s:4:\"book\";s:7:\"\u0000*\u0000part\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000btitle\";s:197:\"Utilisation de la mesure des imp\u00e9dances \u00e9lectrochimiques et opto-\u00e9lectrochimiques pour la caract\u00e9risation \u00e9lectrique des structures solution \u00e9lectrolytique, di\u00e9lectrique\/semiconducteur (EDS)\";s:8:\"\u0000*\u0000title\";s:197:\"Utilisation de la mesure des imp\u00e9dances \u00e9lectrochimiques et opto-\u00e9lectrochimiques pour la caract\u00e9risation \u00e9lectrique des structures solution \u00e9lectrolytique, di\u00e9lectrique\/semiconducteur (EDS)\";s:8:\"\u0000*\u0000place\";s:0:\"\";s:6:\"\u0000*\u0000pub\";s:0:\"\";s:10:\"\u0000*\u0000edition\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000tpages\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000series\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000proxy\";s:30:\"http:\/\/proxyout.inist.fr:8080\/\";s:12:\"\u0000*\u0000integrite\";b:1;}"
Europe PubMed Central access
"O:12:\"ArXivOpenUrl\":35:{s:10:\"\u0000*\u0000openUrl\";N;s:6:\"\u0000*\u0000fmt\";s:4:\"book\";s:6:\"\u0000*\u0000doi\";s:0:\"\";s:6:\"\u0000*\u0000pii\";s:0:\"\";s:7:\"\u0000*\u0000pmid\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000atitle\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000jtitle\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000stitle\";s:0:\"\";s:7:\"\u0000*\u0000date\";s:4:\"1986\";s:9:\"\u0000*\u0000volume\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000issue\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000spage\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000epage\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000pages\";s:5:\"200 p\";s:7:\"\u0000*\u0000issn\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000eissn\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000aulast\";s:7:\"STRILOT\";s:10:\"\u0000*\u0000aufirst\";s:4:\"Yves\";s:9:\"\u0000*\u0000auinit\";s:0:\"\";s:10:\"\u0000*\u0000auinitm\";s:0:\"\";s:5:\"\u0000*\u0000au\";a:1:{i:0;s:18:\"MARTIN, Jean-Ren\u00e9\";}s:9:\"\u0000*\u0000aucorp\";s:0:\"\";s:7:\"\u0000*\u0000isbn\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000coden\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000genre\";s:4:\"book\";s:7:\"\u0000*\u0000part\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000btitle\";s:197:\"Utilisation de la mesure des imp\u00e9dances \u00e9lectrochimiques et opto-\u00e9lectrochimiques pour la caract\u00e9risation \u00e9lectrique des structures solution \u00e9lectrolytique, di\u00e9lectrique\/semiconducteur (EDS)\";s:8:\"\u0000*\u0000title\";s:197:\"Utilisation de la mesure des imp\u00e9dances \u00e9lectrochimiques et opto-\u00e9lectrochimiques pour la caract\u00e9risation \u00e9lectrique des structures solution \u00e9lectrolytique, di\u00e9lectrique\/semiconducteur (EDS)\";s:8:\"\u0000*\u0000place\";s:0:\"\";s:6:\"\u0000*\u0000pub\";s:0:\"\";s:10:\"\u0000*\u0000edition\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000tpages\";s:0:\"\";s:9:\"\u0000*\u0000series\";s:0:\"\";s:8:\"\u0000*\u0000proxy\";s:30:\"http:\/\/proxyout.inist.fr:8080\/\";s:12:\"\u0000*\u0000integrite\";b:1;}"
arXiv access
