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The adsorption and thermal decomposition of acetylene on Si(100) and vicinal Si(100)9°

Autor
NISHIJIMA, M1 ; YOSHINOBU, J; TSUDA, H; ONCHI, M
[1] Kyoto univ., dep. chemistry, Kyoto 606, Japan
Fuente

Surface science. 1987, Vol 192, Num 2-3, pp 383-397 ; ref : 32 ref

CODEN
SUSCAS
ISSN
0039-6028
Campo Científico
General chemistry, physical chemistry; Nanotechnologies, nanostructures, nanoobjects; Condensed state physics; Polymers, paint and wood industries
Editor
Elsevier Science, Amsterdam / Elsevier Science, Lausanne / Elsevier Science, New York, NY
País de la publicación
Netherlands
Tipo de documento
Article
Idioma
English
Palabra clave (fr)
Adsorbant minéral Adsorbat organique Adsorption gaz solide Chimisorption Composé aliphatique Diffraction électron lent Décomposition thermique Désorption gaz solide Etude expérimentale Face cristalline Hydrocarbure Méthode physique Semiconducteur Silicium Spectre perte énergie électron Température Acétylène
Palabra clave (in)
Inorganic adsorbent Organic adsorbate Gas solid adsorption Chemisorption Aliphatic compound LEED diffraction Thermal decomposition Gas solid desorption Experimental study Crystal face Hydrocarbon Physical method Semiconductor materials Silicon Electron energy loss spectrum Temperature
Palabra clave (es)
Adsorbente inorgánico Adsorbato orgánico Adsorción gas sólido Quimioadsorción Compuesto alifático Difracción electrón lenta Descomposición térmica Desorción gas sólido Estudio experimental Cara cristal Hidrocarburo Método físico Semiconductor(material) Silicio Espectro pérdida energía electrón Temperatura
Clasificación
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001C Chemistry / 001C01 General and physical chemistry / 001C01I Surface physical chemistry / 001C01I04 Solid-gas interface

Disciplina
General chemistry and physical chemistry
Procedencia
Inist-CNRS
Base de datos
PASCAL
Identificador INIST
7690882

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