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Photoluminescence of heavily doped n-InP

Autor
SCHWABE, R1 ; HAUFE, A; GOTTSCHALCH, V; UNGER, K
[1] Karl Marx univ. Leipzig, dep. physics chemistry, Leipzig 7010, German Democratic Republic
Fuente

Solid state communications. 1986, Vol 58, Num 7, pp 485-491 ; ref : 16 ref

CODEN
SSCOA4
ISSN
0038-1098
Campo Científico
Crystallography; Electronics; Metallurgy, welding; Condensed state physics
Editor
Elsevier, Oxford
País de la publicación
United Kingdom
Tipo de documento
Article
Idioma
English
Palabra clave (fr)
Approximation phase aléatoire Bande interdite Composé minéral Conductivité type n Densité état Diffusion multiple Dopage Etain Etude expérimentale Indium Phosphure Largeur bande Niveau Fermi Photoluminescence Rayonnement IR Semiconducteur Spectre excitation Très basse température
Palabra clave (in)
Random phase approximation Energy gap Inorganic compound N type conductivity Density of states Multiple scattering Doping Tin Experimental study Indium Phosphides Bandwidth Fermi level Photoluminescence Infrared radiation Semiconductor materials Excitation spectrum Very low temperature
Palabra clave (es)
Aproximación fase aleatoria Banda prohibida Compuesto mineral Conductividad tipo n Densidad estado Difusión múltiple Doping Estaño Estudio experimental Indio Anchura banda Nivel Fermi Fotoluminiscencia Radiacion infrarroja Semiconductor(material) Espectro excitación Temperatura muy baja
Clasificación
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001B Physics / 001B70 Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties / 001B70H Optical properties and condensed-matter spectroscopy and other interactions of matter with particles and radiation / 001B70H55 Photoluminescence

Disciplina
Physics of condensed state : electronic structure, electrical, magnetic and optical properties
Procedencia
Inist-CNRS
Base de datos
PASCAL
Identificador INIST
8006341

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