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Refroidissement du gaz d'électrons dans les semiconducteurs à plusieurs vallées avec diffusion inélastique des porteurs

Author
ZAKHLENYUK, N. A1 ; MITIN, V. V
[1] Inst. poluprovodnikov AN USSR, Kiev, Ukraine
Source

Fizika i tehnika poluprovodnikov. = Physics and technics of semiconductors. 1987, Vol 21, Num 4, pp 626-632 ; ref : 16 ref

CODEN
FTPPA4
ISSN
0015-3222
Scientific domain
Electronics; Condensed state physics
Publisher
Nauka, Sankt-Peterburg
Publication country
Russian Federation
Document type
Article
Language
Russian
Keyword (fr)
Champ électrique Diffusion inélastique Diffusion porteur charge Emission phonon Etude théorique Gaz électron Inversion population Porteur chaud Semiconducteur multivallée Température Debye Température électronique
Keyword (en)
Electric field Inelastic scattering Charge carrier scattering Phonon emission Theoretical study Electron gas Population inversion Hot carrier Multivalley semiconductor Debye temperature Electron temperature
Keyword (es)
Campo electrico Difusión inelástica Difusión portador carga Emisión fonón Estudio teórico Gas electrónico Inversión populación Portador caliente Semiconductor multivalle Temperatura Debye Temperatura electrónica
Classification
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001B Physics / 001B70 Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties / 001B70B Electronic transport in condensed matter / 001B70B20 Conductivity phenomena in semiconductors and insulators / 001B70B20D General theory, scattering mechanisms

Discipline
Physics of condensed state : electronic structure, electrical, magnetic and optical properties
Origin
Inist-CNRS
Database
PASCAL
INIST identifier
8326049

Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS

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