Pascal and Francis Bibliographic Databases

Help

Permanent link : http://pascal-francis.inist.fr/vibad/index.php?action=getRecordDetail&idt=8341932

Export

Selection :

Processus non stationnaires d'accumulation et de dissipation du plasma d'électrons-trous dans les semiconducteurs dans des champs électriques intenses

Author
EFANOV, Y. M1 ; KARDO-SYSOEV, A. F; SMIRNOVA, I. A
[1] Fiz.-tekh. inst. im. A.F. Ioffe AN SSSR, Leningrad, Ussr
Source

Fizika i tehnika poluprovodnikov. = Physics and technics of semiconductors. 1987, Vol 21, Num 4, pp 620-625 ; ref : 7 ref

CODEN
FTPPA4
ISSN
0015-3222
Scientific domain
Electronics; Condensed state physics
Publisher
Nauka, Sankt-Peterburg
Publication country
Russian Federation
Document type
Article
Language
Russian
Keyword (fr)
Champ intense Champ électrique Plasma électron trou Silicium Structure multijonction Structure P+-n-n+
Keyword (en)
High field Electric field Electron hole plasma Silicon Multijunction structure
Keyword (es)
Campo intenso Campo electrico Plasma electrón hueco Silicio Estructura multiunión
Classification
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001D Applied sciences / 001D03 Electronics / 001D03F Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices / 001D03F01 Interfaces

Discipline
Electronics
Origin
Inist-CNRS
Database
PASCAL
INIST identifier
8341932

Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS

Searching the Web