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CARACTERISATION DES PARAMETRES ELECTRIQUES FONDAMENTAUX DE COUCHES IMPLANTEES DANS LE SILICIUM, DANS LE BUT DE REALISER DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES PARTICULIERS

Author
BERNARD J; GUERNET G
CEN, LAB. ELECTRON. TECHNOL. INF., 38-GRENOBLE
Source
DGRST-70 7 2439; FR.; DA. 1972; PP. (1-12); H.T. 7; BIBL. 6 REF.; (RAPP. FINAL, ACTION CONCERTEE: COMPOSANTS CIRCUITS MICROMINIATURISES)
Document type
Report
Language
French
Keyword (fr)
IMPLANTATION IONIQUE TRANSISTOR EFFET CHAMP TRANSISTOR MOS TRANSISTOR HAUTE FREQUENCE TRES HAUTE FREQUENCE BASE PORTEUR CHARGE DUREE VIE RESISTANCE ELECTRIQUE RESISTANCE COUCHE SILICIUM ION BORE TECHNOLOGIE ELECTROMAGNETISME ELECTRONIQUE
Keyword (en)
ELECTROMAGNETISM ELECTRONICS
Keyword (es)
ELECTROMAGNETISMO ELECTRONICA
Classification
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001D Applied sciences / 001D03 Electronics

Discipline
Electronics
Origin
Inist-CNRS
Database
PASCAL
INIST identifier
PASCAL7314500374

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