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PROPERTIES OF SN-DOPED GAAS

Autor
NISHIZAWA J; SHINOZAKI S; ISHIDA K
RES. INST. ELECTR. COMMUN., TOHOKU UNIV., SENDAI, JAP.
Fuente
J. APPL. PHYS.; U.S.A.; DA. 1973; VOL. 44; NO 4; PP. 1638-1645; BIBL. 40 REF.
Tipo de documento
Serial Issue
Idioma
English
Palabra clave (fr)
PHOTOLUMINESCENCE EFFET HALL CONDUCTIVITE ELECTRIQUE DEFAUT CRISTALLIN DEFAUT PONCTUEL ARSENIURE GALLIUM IMPURETE NIVEAU IMPURETE NON STOECHIOMETRIE ETAIN LACUNE EFFET PREPARATION LUMINESCENCE PROPRIETE MAGNETOELECTRIQUE DOPAGE ETAIN PHYSIQUE SOLIDE
Palabra clave (in)
SOLID PHYSICS
Palabra clave (es)
FISICA DEL ESTADO CONDENSADO
Clasificación
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001B Physics / 001B60 Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties

Disciplina
Physics of condensed state : structure, mechanical and thermal properties
Procedencia
Inist-CNRS
Base de datos
PASCAL
Identificador INIST
PASCAL7316010165

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