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ZUM WACHSTUM VON AIIIBV-HALBLEITERN AUS NICHTSTOECHIOMETRISCHEN SCHMELZEN (II). DOTIERUNG VON GAAS UND GA1-XALXAS MIT ZINK

Other title
CROISSANCE DE SEMICONDUCTEURS AIIIBV A PARTIR DE PRODUITS DE FUSION NON STOECHIOMETRIQUES (II). DOPAGE DE GAAS ET GA1-XALXAS PAR LE ZINC (fr)
Author
JACOBS K; JACOBS B; BUTTER E
SEKT. CHEM., KARL-MARX-UNIV., 701 LEIPZIG
Source
KRISTALL U. TECH.; DTSCH.; DA. 1972; VOL. 7; NO 11; PP. 1209-1217; ABS. ANGL.; BIBL. 11 REF.
Document type
Serial Issue
Language
German
Keyword (fr)
SEMICONDUCTEUR COMPOSE III-V GALLIUM ARSENIURE ARSENIURE GALLIUM ARSENIURE MIXTE ALUMINIUM ARSENIURE MIXTE ARSENIURE MIXTE COUCHE MINCE COUCHE EPITAXIQUE CRISTALLISATION METHODE EN SOLUTION DISTRIBUTION IMPURETE SEGREGATION IMPURETE ZINC ALUMINIUM GALLIUM ARSENIURE MIXTE DOPAGE ZN CRISTALLOGRAPHIE
Keyword (en)
CRISTALLOGRAPHY
Keyword (es)
CRISTALOGRAFIA
Classification
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001B Physics / 001B60 Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties / 001B60A Structure of solids and liquids; crystallography

Discipline
Physics of condensed state : structure, mechanical and thermal properties
Origin
Inist-CNRS
Database
PASCAL
INIST identifier
PASCAL7316106571

Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS

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