DETERMINATION OPTIQUE DU PROFIL DE PORTEURS LIBRES DANS DU SILICIUM DOPE PAR IMPLANTATION IONIQUE.
- Autor
- GEFFROY Y; BENNACEUR R; SEBENNE C; BALKANSKI M
LAB. PHYS. SOLIDES, UNIV. PARIS VI, 75230 PARIS-CEDEX 05 - Fuente
- VIDE; FR.; DA. 1974; NO 171 SUPPL.; PP. 52-60; BIBL. 1 P.; (APPL. PROCESSUS ELECTRON. IONIQUES. IVE. CONGR. INT. AVISEM 74; TOULOUSE; 1974)
- Tipo de documento
- Conference Paper
- Idioma
- French
- Palabra clave (fr)
- PORTEUR CHARGE CONCENTRATION PORTEUR CHARGE PROPRIETE OPTIQUE REFLEXION IR DOPAGE IMPLANTATION IMPURETE SILICIUM PHYSIQUE SOLIDE
- Palabra clave (in)
- SOLID PHYSICS
- Palabra clave (es)
- FISICA DEL ESTADO CONDENSADO
- Clasificación
- Pascal
- 001 Exact sciences and technology / 001B Physics / 001B60 Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties
- Disciplina
- Physics of condensed state : structure, mechanical and thermal properties
- Procedencia
- Inist-CNRS
- Base de datos
- PASCAL
- Identificador INIST
- PASCAL7530049654
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