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CARACTERISATION DES DIFFERENTES OPERATIONS D'UN PROCESSUS TECHNOLOGIQUE EN VUE DE L'OBTENTION DE CIRCUITS INTEGRES HAUTE TENSION.

Author
MARTINOT H; BIELLE DASPET D; SCHUTTLER R; ANDRE B; CABOT J; PINEL J; CASTANER L; ELLOUZ E; MARTINEZ J; ROIZES A
LAB. AUTOM. ANAL. SYST., CNRS.; CENT. ETUDE SPAT. RAYONNEM.; CENT. ETUD. RECH. TOULOUSE, O.N.E.R.A., TOULOUSE
Source
DGRST-7270532; FR.; DA. 1974; PP. (50P.); H.T. 43; BIBL. 1 P. 1/2; (RAPP. FINAL, ACTION CONCERTEE: COMPOSANTS CIRCUITS MICROMINIATURISES)
Document type
Report
Language
French
Keyword (fr)
TRANSISTOR TRANSISTOR HAUTE FREQUENCE TECHNOLOGIE PLANAIRE EPITAXIE CARACTERISTIQUE ELECTRIQUE PORTEUR CHARGE DUREE VIE METHODE MESURE CONTRAINTE THERMIQUE FABRICATION MICROELECTRONIQUE CROISSANCE CRISTALLINE IMPURETE PROFIL DOPAGE ELECTROMAGNETISME ELECTRONIQUE
Keyword (en)
ELECTROMAGNETISM ELECTRONICS
Keyword (es)
ELECTROMAGNETISMO ELECTRONICA
Classification
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001D Applied sciences / 001D03 Electronics

Discipline
Electronics
Origin
Inist-CNRS
Database
PASCAL
INIST identifier
PASCAL7530053490

Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS

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