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INFLUENCE DE LA DERIVE TRANSVERSALE DES PORTEURS SUR L'INTERACTION ACOUSTOELECTRONIQUE DANS UNE STRUCTURE FEUILLETEE PIEZOELECTRIQUE-SEMICONDUCTEUR

Author
GULYAEV YU V; GRIGOR'EVSKIJ VI; KMITA AM; MEVDEV AV; FEDORETS VN
INST. RADIOTEKH. EHLEKTRON., AN SSSR, MOSKVA
Source
FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 11; NO 1; PP. 22-28; BIBL. 12 REF.
Document type
Article
Language
Russian
Keyword (fr)
EFFET ACOUSTOELECTRIQUE ONDE ACOUSTIQUE CONTACT ELECTRIQUE CONTACT PIEZOELECTRIQUE SEMICONDUCTEUR DIFFUSION PORTEUR CHARGE PORTEUR CHARGE PHYSIQUE SOLIDE
Keyword (en)
ACOUSTOELECTRIC EFFECT ACOUSTICAL WAVES ELECTRIC CONTACT PIEZOELECTRIC SEMICONDUCTOR CONTACT CHARGE CARRIER SCATTERING CHARGE CARRIER SOLID PHYSICS
Keyword (es)
FISICA DEL ESTADO CONDENSADO
Classification
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001B Physics / 001B60 Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties

Discipline
Physics of condensed state : structure, mechanical and thermal properties
Origin
Inist-CNRS
Database
PASCAL
INIST identifier
PASCAL7730308734

Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS

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