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MISE AU POINT D'UNE METHODE DE MESURE DU TEMPS DE VIE DANS LA BASE DE DIODES RAPIDES OU DE COMMUTATION ET LES TRANSISTORS

Author
BIELLE DASPET D; PINEL J; BENZOHRA M; GASSET G; MARTY G; BEAUFORT JL
UNIV. PAUL SABATIER, CENT. ETUD. SPAT. RAYONNEM., B.P. 4346, 31029 TOULOUSE CEDEX
Source
DGRST-7371361; FR.; DA. 1975; PP. (23P.); H.T. 1; BIBL. 2 REF.; (RAPP. FINAL, ACTION CONCERTEE: COMPOSANTS CIRCUITS MICROMINIATURISES)
Document type
Report
Language
French
Keyword (fr)
DIODE DIODE COMMUTATION SILICIUM TRANSISTOR BASE TRANSISTOR METHODE MESURE TRANSISTOR PUISSANCE REGIME INJECTION FORTE DUREE VIE PORTEUR CHARGE REGIME TRANSITOIRE DETECTEUR RAYONNEMENT DISPOSITIF PHOTOELECTRIQUE CELLULE SOLAIRE PORTEUR MINORITAIRE PHOTOCOURANT ELECTROMAGNETISME ELECTRONIQUE
Keyword (en)
DIODE SWITCHING DIODE SILICON TRANSISTOR TRANSISTOR BASE MEASUREMENT METHOD POWER TRANSISTOR LIFETIME CHARGE CARRIER UNSTEADY FLOW RADIATION DETECTOR PHOTOELECTRIC CELL SOLAR CELL MINORITY CARRIER ELECTROMAGNETISM ELECTRONICS
Keyword (es)
ELECTROMAGNETISMO ELECTRONICA
Classification
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001D Applied sciences / 001D03 Electronics

Discipline
Electronics
Origin
Inist-CNRS
Database
PASCAL
INIST identifier
PASCAL7730380169

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