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CARACTERISATION DES COUCHES MINCES D'ARSENIURE DE GALLIUM DEPOSEES PAR EPITAXIE SUR SUBSTRAT ASGA SEMI-ISOLANT.

Author
TAYEB MOHAMMED BRAHIM
LAB. SEMI-CONDUCTEURS, UNIV. PARIS-SUD ORSAY
Source
S.L.; DA. 1976; PP. 1-61; H.T. 35; BIBL. 1 P. 1/2; (THESE DOCT. 3E CYCLE, SPEC. ELECTRON. MATER. STRUCT.; PARIS-SUD)
Document type
Thesis
Language
French
Keyword (fr)
COUCHE EPITAXIQUE ARSENIURE COMPOSE GALLIUM DEPOT SUBSTRAT TRANSISTOR EFFET CHAMP TRANSISTOR EFFET CHAMP BARRIERE SCHOTTKY NIVEAU PROFOND ANALYSE FONCTIONNEMENT FIABILITE PROFIL DOPAGE STRUCTURE MULTICOUCHE ARSENIURE GALLIUM COUCHE TAMPON ELECTRONIQUE
Keyword (en)
EPITAXIAL FILM ARSENIDES SUBSTRATE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR DEEP LEVEL OPERATION STUDY RELIABILITY DOPING PROFILE BUFFER LAYER ELECTRONICS
Keyword (es)
ELECTRONICA
Classification
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001D Applied sciences / 001D03 Electronics

Discipline
Electronics
Origin
Inist-CNRS
Database
PASCAL
INIST identifier
PASCAL7830103525

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