INFLUENCE DE LA DIFFUSION DES ELECTRONS SUR LA FORMATION D'UN DOMAINE STATIONNAIRE A L'ANODE D'UNE DIODE DE GUNN
- Author
- POZHELA YU; RAGUOTIS R; REKLAJTIS A
INST. FIZ. POLUPROVODNIKOV AN LIT SSR, VIL'NYUS, SUN - Source
- FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1978; VOL. 12; NO 7; PP. 1364-1367; BIBL. 20 REF.
- Document type
- Article
- Language
- Russian
- Keyword (fr)
- DIODE DIODE GUNN ARSENIURE COMPOSE GALLIUM CONDUCTIVITE TYPE N PORTEUR CHARGE ELECTRON DIFFUSION PORTEUR CHARGE ARSENIURE GALLIUM ELECTRONIQUE
- Keyword (en)
- DIODE GUNN DIODE ARSENIDES N TYPE CONDUCTIVITY CHARGE CARRIER ELECTRONS CHARGE CARRIER SCATTERING ELECTRONICS
- Keyword (es)
- ELECTRONICA
- Classification
- Discipline
- Electronics
- Origin
- Inist-CNRS
- Database
- PASCAL
- INIST identifier
- PASCAL7930067216
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