AL/SI-METALLISIERUNG DURCH SIMULTANBETRIEB ZWEIER GEREGELTER ELEKTROMENSTRAHLVERDAMPFER
- Other title
- METALLISATION AL/SI PAR EVAPORATION SIMULTANEE AVEC 2 CANONS A ELECTRONS REGULES (fr)
- Author
- HEGNER F; FEUERSTEIN A
LEYBOLD-HERAEUS GMBH, KOELN, DEU - Source
- VAKUUM-TECH.; DEU; DA. 1979; VOL. 28; NO 1; PP. 3-11; ABS. ENG/FRE; BIBL. 16 REF.
- Document type
- Article
- Language
- German
- Keyword (fr)
- FABRICATION MICROELECTRONIQUE METALLISATION DEPOT SOUS VIDE METHODE PHASE VAPEUR ALUMINIUM SILICIUM FAISCEAU ELECTRON CIRCUIT MOS COUCHE MINCE PREPARATION ELECTRONIQUE
- Keyword (en)
- MICROELECTRONIC FABRICATION METALLIZING VACUUM DEPOSITION GROWTH FROM VAPOR ALUMINUM SILICON MOS CIRCUIT THIN FILM PREPARATION ELECTRONICS
- Keyword (es)
- ELECTRONICA
- Classification
- Discipline
- Electronics
- Origin
- Inist-CNRS
- Database
- PASCAL
- INIST identifier
- PASCAL7930252106
Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS
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