Pascal and Francis Bibliographic Databases

Help

Export

Selection :

Permanent link
http://pascal-francis.inist.fr/vibad/index.php?action=getRecordDetail&idt=PASCAL8030058617

INFLUENCE DE LA COMPOSITION EN IMPURETES SUR LA FORMATION DES CENTRES DE RECOMBINAISON LORS DE L'IRRADIATION DU SILICIUM N PAR DES QUANTUMS GAMMADE HAUTES ENERGIES

Author
LUGAKOV PF; TKACHEV VD; SHUSHA VV
BGU IM. V.I. LENINA NAUCHN.-ISSLED. INST. PRIKLADN. FIZ. PROBLEM, MINSK, BYS
Source
FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1979; VOL. 13; NO 5; PP. 875-880; BIBL. 19 REF.
Document type
Article
Language
Russian
Keyword (fr)
PORTEUR CHARGE RECOMBINAISON PORTEUR CHARGE IMPURETE NIVEAU IMPURETE DUREE VIE IRRADIATION RAYONNEMENT GAMMA SILICIUM PHYSIQUE SOLIDE
Keyword (en)
CHARGE CARRIER CHARGE CARRIER RECOMBINATION IMPURITIES IMPURITY LEVEL LIFETIME IRRADIATION GAMMA RAYS SILICON SOLID PHYSICS
Keyword (es)
FISICA DEL ESTADO CONDENSADO
Classification
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001B Physics / 001B60 Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties

Discipline
Physics of condensed state : structure, mechanical and thermal properties
Origin
Inist-CNRS
Database
PASCAL
INIST identifier
PASCAL8030058617

Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS

Searching the Web