Pascal and Francis Bibliographic Databases

Help

Permanent link : http://pascal-francis.inist.fr/vibad/index.php?action=getRecordDetail&idt=PASCAL8030255702

Export

Selection :

ZUM EINFLUSS DER SPUTTERBEDINGUNGEN BEI DER BESCHICHTUNG OXYDIERTER SI-SUBSTRATE AUF EIGENSCHAFTEN DER SI/SIO2-GRENZFLAECHE

Other title
INFLUENCE DES CONDITIONS DE PULVERISATION DANS LE CAS DU REVETEMENT DE SUBSTRATS EN SI OXYDES SUR LES CARACTERISTIQUES DE L'INTERFACE SI-SIO2 (fr)
Author
STEENBECK K; SALM J; MICHALKE W
AKAD. WISS. DDR, ZENTRALINST. FESTKOERPERPHYS. WERKSTOFFORSCHUNG,JENA 69,DDR
Source
EXPER. TECH. PHYS.; DDR; DA. 1979; VOL. 27; NO 6; PP. 543-550; ABS. ENG; BIBL. 17 REF.
Document type
Article
Language
German
Keyword (fr)
DEPOT METHODE PHASE VAPEUR PULVERISATION CATHODIQUE SUBSTRAT SILICIUM OXYDATION THERMIQUE TENSION BANDE PLATE ETAT ELECTRONIQUE SURFACE COUCHE MINCE PREPARATION OXYDE COMPOSE SILICIUM CHAMP ELECTRIQUE OXYDE SILICIUM ELECTRONIQUE
Keyword (en)
GROWTH FROM VAPOR CATHODIC SPUTTERING SUBSTRATE SILICON FLAT BAND VOLTAGE SURFACE ELECTRON STATE THIN FILM PREPARATION OXIDES ELECTRICAL FIELD ELECTRONICS
Keyword (es)
ELECTRONICA
Classification
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001D Applied sciences / 001D03 Electronics

Discipline
Electronics
Origin
Inist-CNRS
Database
PASCAL
INIST identifier
PASCAL8030255702

Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS

Searching the Web