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CARACTERISATION DES INTERFACES OXYDE-SEMICONDUCTEUR A BANDE INTERDITE ETROITE: APPLICATION A L'ANTIMONIURE D'INDIUM

Author
MILLET ALAIN
Source
FRA; DA. 1979; (2)-106 P.: ILL.; 30 CM; BIBL. 24 REF.; TH. 3E CYCLE: SCI. PHYS., ELECTRON. MATER./DIJON/1979
Document type
Thesis
Language
French
Keyword (fr)
CONTACT ELECTRIQUE CONTACT OXYDE SEMICONDUCTEUR BANDE INTERDITE ANTIMONIURE COMPOSE INDIUM ETAT ELECTRONIQUE INTERFACE STRUCTURE MIS THEORIE STATISTIQUE MAXWELL BOLTZMANN NIVEAU IMPURETE ANTIMONIURE INDIUM ELECTRONIQUE
Keyword (en)
ELECTRIC CONTACT SEMICONDUCTOR OXIDE CONTACT ENERGY GAP ANTIMONIDES INTERFACE ELECTRON STATE MIS STRUCTURE THEORY THEORETICAL STUDIES IMPURITY LEVEL ELECTRONICS
Keyword (es)
ELECTRONICA
Classification
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001D Applied sciences / 001D03 Electronics

Discipline
Electronics
Origin
Inist-CNRS
Database
PASCAL
INIST identifier
PASCAL8030391766

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