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CARACTERISATION ELECTRIQUE ET STRUCTURALE DE GAAS APRES IMPLANTATION IONIQUE ET RECUIT

Author
MARTIN GM; MAKRAM EBEID S;
DGRST/PARIS/FRA/(PATR.) LABORATOIRES D'ELECTRONIQUE ET DE PHYSIQUE APPLIQUEE/LIMEIL-BREVANNES/FRA
Source
FRA; DA. 1980; DGRST/78 7 2157; 35 P.; 30 CM; BIBL. 11 REF.; ACTION CONCERTEE: PHYSIQUE ELECTRONIQUE
Document type
Report
Language
English; French
Keyword (fr)
MOBILITE PORTEUR CHARGE FAISCEAU LASER RECUIT CONTACT OHMIQUE COMPOSE MINERAL METAL GROUPE IIIB COMPOSE AMORPHISATION RECRISTALLISATION ANALYSE DIFFUSION ION ANALYSE DIFFUSION RUTHERFORD IMPLANTATION ION GALLIUM ARSENIURE IMPURETE SELENIUM IMPURETE TELLURE PHYSIQUE SOLIDE CRISTALLOGRAPHIE
Keyword (en)
CHARGE CARRIER MOBILITY LASER BEAM ANNEALING OHMIC CONTACT INORGANIC COMPOUND AMORPHIZATION RECRYSTALLIZATION ION IMPLANTATION SOLID PHYSICS CRISTALLOGRAPHY
Keyword (es)
FISICA DEL ESTADO CONDENSADO CRISTALOGRAFIA
Classification
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001B Physics / 001B60 Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties / 001B60A Structure of solids and liquids; crystallography

Discipline
Physics of condensed state : structure, mechanical and thermal properties
Origin
Inist-CNRS
Database
PASCAL
INIST identifier
PASCAL8130329111

Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS

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