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ANALYSE DER STROM-SPANNUNGS-KENNLINIEN SPEZIELLER SILIZIUM-FOTODIODEN IM BEREICH KLEINER FLUSSPANNUNGEN

Other title
ANALYSE DES CARACTERISTIQUES COURANT TENSION DE PHOTODIODES AU SILICIUM SPECIALES DANS LE DOMAINE DES FAIBLES TENSIONS DIRECTES (fr)
Author
HARTMANN JD
VEB WERK FUER FERNSEHELEKTRONIK BERLIN/BERLIN 1160/DDR
Source
EXP. TECH. PHYS.; ISSN 0014-4924; DDR; DA. 1980; VOL. 28; NO 4; PP. 347-356; ABS. ENG; BIBL. 11 REF.
Document type
Article
Language
German
Keyword (fr)
DISPOSITIF PHOTOELECTRIQUE CARACTERISTIQUE COURANT TENSION SILICIUM TENSION DIRECTE ELECTRONIQUE
Keyword (en)
PHOTOELECTRIC CELL VOLTAGE CURRENT CURVE SILICON ELECTRONICS
Keyword (es)
ELECTRONICA
Classification
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001D Applied sciences / 001D03 Electronics

Discipline
Electronics
Origin
Inist-CNRS
Database
PASCAL
INIST identifier
PASCAL8130370118

Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS

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