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ZUM NACHWEIS VON REKOMBINATIONSZENTREN IN DEN BASISZONEN VON SI-GLEICHRICHTERN

Other title
PREUVES DE L'EXISTENCE DE CENTRES DE RECOMBINAISON DANS LES ZONES DE BASE DES DIODES SI (fr)
Author
LEMKE H
ACAD. WISS. DDR, ZENTRALINST. ELEKTRONENPHYS./BERLIN 1080/DDR
Source
PHYS. STATUS SOLIDI (A), APPL. RES.; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1981; VOL. 63; NO 1; PP. 127-136; ABS. ENG; BIBL. 11 REF.
Document type
Article
Language
German
Keyword (fr)
PORTEUR CHARGE RECOMBINAISON PORTEUR CHARGE DIODE STRUCTURE BANDE SILICIUM PHYSIQUE SOLIDE
Keyword (en)
CHARGE CARRIER CHARGE CARRIER RECOMBINATION DIODE BAND STRUCTURE SOLID PHYSICS
Keyword (es)
FISICA DEL ESTADO CONDENSADO
Classification
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001B Physics / 001B60 Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties

Discipline
Physics of condensed state : structure, mechanical and thermal properties
Origin
Inist-CNRS
Database
PASCAL
INIST identifier
PASCAL82X0340192

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