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CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE DIODES AU-SI(N) REALISEES APRES IRRADIATION PAR LASER

Author
PONPON JP; BUTTUNG E; SIFFERT P
CENT. RECH. NUCLEAIRES, GROUPE PHYSIQUE APPLICATIONS SEMICONDUCTEURS/STRASBOURG 67037/FRA
Source
REV. PHYS. APPL.; ISSN 0035-1687; FRA; DA. 1982; VOL. 17; NO 10; PP. 687-692; ABS. ENG; BIBL. 26 REF.
Document type
Article
Language
French
Keyword (fr)
DIODE DIODE BARRIERE SCHOTTKY ELECTRODE OR SILICIUM IRRADIATION LASER CARACTERISTIQUE ELECTRIQUE DEGRADATION ANALYSE FONCTIONNEMENT ELECTRONIQUE
Keyword (en)
DIODE SCHOTTKY BARRIER DIODE ELECTRODES GOLD SILICON LASER IRRADIATION ELECTRICAL CHARACTERISTIC DEGRADATION OPERATION STUDY ELECTRONICS
Keyword (es)
ELECTRONICA
Classification
Pascal
001 Exact sciences and technology / 001D Applied sciences / 001D03 Electronics

Discipline
Electronics
Origin
Inist-CNRS
Database
PASCAL
INIST identifier
PASCAL83X0025771

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