CARACTERISATION DES DEFAUTS DANS LES STRUCTURES MOS PAR ETUDE DE TRANSITOIRES PERIODIQUES
- Other title
- CHARACTERIZATION OF FAULTS IN MOS STRUCTURES BY THE STUDY OF PERIODIC TRANSIENTS (en)
- Author
- GALLATI MARIE HELENE
- Source
- FRA; DA. 1982; 121 P.; 30 CM; BIBL. 2 P.; TH. DOCT.-ING./LILLE 1/1982
- Document type
- Thesis
- Language
- French
- Keyword (fr)
- STRUCTURE MOS CAPACITE MOS REGIME STATIQUE REGIME DYNAMIQUE REGIME TRANSITOIRE CARACTERISTIQUE CAPACITE TENSION ETAT ELECTRONIQUE INTERFACE SPECTROMETRIE TRANSITOIRE NIVEAU PROFOND DEFAUT CRISTALLIN PORTEUR CHARGE DUREE VIE INTERFACE SOLIDE SOLIDE ELECTRONIQUE
- Keyword (en)
- MOS STRUCTURE MOS CAPACITY STATIC CONDITIONS DYNAMIC CONDITIONS UNSTEADY STATE VOLTAGE CAPACITY CURVE INTERFACE ELECTRON STATE DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROMETRY CRYSTAL DEFECT CHARGE CARRIER LIFETIME SOLID SOLID INTERFACE ELECTRONICS
- Keyword (es)
- ELECTRONICA
- Classification
- Discipline
- Electronics
- Origin
- Inist-CNRS
- Database
- PASCAL
- INIST identifier
- PASCAL83X0078970
Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS
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