CALCUL DE L'EFFET D'UN ETAT D'INTERFACE SUR LE TRAVAIL DE SORTIE D'UN SEMICONDUCTEUR RECOUVERT D'UNE COUCHE MINCE
- Author
- PALAU JM; ISMAIL A; TESTEMAL E; LASSABATERE L
UNIV. SCI. TECH. LANGUEDOC, CENT. ETUDES ELECTRON. SOLIDES/MONTPELLIER 34060/FRA - Source
- THIN SOLID FILMS; ISSN 0040-6090; CHE; DA. 1981; VOL. 86; NO 4; PP. 317-329; ABS. ENG; BIBL. 9 REF.
- Document type
- Article
- Language
- French
- Keyword (fr)
- TRAVAIL SORTIE METHODE MESURE SEMICONDUCTEUR COUCHE MINCE INTERFACE CHARGE ESPACE HETEROJONCTION ETAT ELECTRONIQUE INTERFACE GERMANIUM GALLIUM ARSENIURE ELECTRONIQUE
- Keyword (en)
- WORK FUNCTION MEASUREMENT METHOD SEMICONDUCTOR MATERIALS THIN FILM INTERFACE SPACE CHARGE HETEROJUNCTION INTERFACE ELECTRON STATE GERMANIUM GALLIUM ARSENIDES ELECTRONICS
- Keyword (es)
- ELECTRONICA
- Classification
- Discipline
- Electronics
- Origin
- Inist-CNRS
- Database
- PASCAL
- INIST identifier
- PASCAL83X0359570
Sauf mention contraire ci-dessus, le contenu de cette notice bibliographique peut être utilisé dans le cadre d’une licence CC BY 4.0 Inist-CNRS / Unless otherwise stated above, the content of this bibliographic record may be used under a CC BY 4.0 licence by Inist-CNRS / A menos que se haya señalado antes, el contenido de este registro bibliográfico puede ser utilizado al amparo de una licencia CC BY 4.0 Inist-CNRS
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