Tendencies and problems of development of the river fleet of the U.S.S.RZEMLYANOVSKI, D. K; FOMIN, V. G.Bulletin of the Permanent International Association of Navigation Congresses. 1982, Vol 57, Num 43, pp 37-42, issn 0374-1001Article

Sur la dynamique d'un panneau cylindrique élastique en interaction avec un écoulement gazeux transsoniqueKRYS'KO, V. A; FOMIN, V. G.Prikladnaâ mehanika (Kiev). 1985, Vol 21, Num 5, pp 39-45, issn 0032-8243Article

Nature of bending of monocrystalline plates of silicon under unilateral mechanical treatmentGAVRILYUK, YU. N; GRINSHTEIN, P. M; LADOCHKIN, A. A et al.Crystallography reports. 1993, Vol 38, Num 5, pp 667-670, issn 1063-7745Article

Relaxation des contraintes mécaniques lors du traitement thermique des lames de siliciumDORONICHEVA, N. I; LADOCHKIN, A. A; MEJLER, B. L et al.Kristallografiâ. 1984, Vol 29, Num 2, pp 337-342, issn 0023-4761Article

Effect of various factors upon the stoichiometry of GaAs homoepitaxial layers grown by LPEGOVORKOV, A. V; NOVIKOV, A. G; MILVIDSKII, M. G et al.Physica status solidi. A. Applied research. 1994, Vol 144, Num 1, pp 121-130, issn 0031-8965Article

Effect of doping and heat treatment on the lattice constant in homoepitaxial GaAs layers prepared by LPEGOVORKOV, A. V; EFIMOV, A. G; NOVIKOV, A. G et al.Soviet physics. Crystallography. 1991, Vol 36, Num 6, pp 875-877, issn 0038-5638Article

Etude par diffraction X complexe de la structure des couches perturbées induites par la coupe du siliciumMIL'VIDSKIJ, M. G; FOMIN, V. G; KHATSKEVICH, M. M et al.Fizika i himiâ obrabotki materialov. 1986, Num 2, pp 122-125, issn 0015-3214Article

Effect of substrate-surface orientation on the properties of GaAs homoepitaxial layers grown by liquid-phase epitaxyGOVORKOV, A. V; MIL'VIDSSKII, M. G; NOVIKOV, A. G et al.Soviet physics. Crystallography. 1992, Vol 37, Num 5, pp 689-692, issn 0038-5638Article

Dynamique d'une coque sphérique de faible pente sous l'action d'un choc thermiqueKRYS'KO, V. A; GUBA, G. M; FOMIN, V. G et al.Prikladnaâ mehanika (Kiev). 1986, Vol 22, Num 5, pp 21-27, issn 0032-8243Article

Distribution des microdéfauts du type A dans des monocristaux de silicium sans dislocation formés dans les conditions de fusion de zone sans creusetDOBROVENSKIJ, V. V; NOVIKOV, A. G; TRIPOSHINA, N. A et al.Kristallografiâ. 1983, Vol 28, Num 6, pp 1222-1224, issn 0023-4761Article