Thermal emission of semiconductors : investigation and applicationMALYUTENKO, V. K.Infrared physics. 1991, Vol 32, pp 291-302, issn 0020-0891Article

Characterization of oxygen impurity concentration in silicon based on thermal emission measurementsMALYUTENKO, V. K; CHERNYAKOVSKY, V. I; PIOTROWSKI, T et al.Infrared physics & technology. 1996, Vol 37, Num 4, pp 499-504, issn 1350-4495Article

HgCdTe and other infrared material status in the UkraineMALYUTENKO, V. K.Journal of electronic materials. 1995, Vol 24, Num 9, pp 1231-1238, issn 0361-5235Conference Paper

Conductivité différentielle négative des semiconducteurs non intrinsèques lors du pincement du courant de type nMALYUTENKO, V. K; MALOZOVSKIJ, YU. M.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 8, pp 1497-1500, issn 0015-3222Article

Rayonnement thermique d'une diode semiconductrice soumise à une polarisation directeMALYUTENKO, V. K; TESLENKO, G. I.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 8, pp 1452-1457, issn 0015-3222Article

Thermal emission of InAs induced by band tailsMALYUTENKO, V. K; CHERNYAKHOVSKY, V. I.Semiconductor science and technology. 1994, Vol 9, Num 5, pp 1047-1049, issn 0268-1242Article

Rayonnement thermique interbande des semiconducteursMALYUTENKO, V. K; MALOZOVSKIJ, YU. M.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 2, pp 345-347, issn 0015-3222Article

Bandgap dependence of current crowding effect in 3-5 μm InAsSb/InAs planar light emitting devicesMALYUTENKO, V. K; ZINOVCHUK, A. V; YU MALYUTENKO, O et al.Semiconductor science and technology. 2008, Vol 23, Num 8, issn 0268-1242, 085004.1-085004.3Article

Influence de l'état de surface sur l'exclusion des porteurs de charge dans les semiconducteursVITUSEVICH, S. A; MALOZOVSKIJ, YU. H; MALYUTENKO, V. K et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 10, pp 1841-1846, issn 0015-3222Article

CO₂-laser with vibration-proof Q-switchBEREZHINSKY, L. I; LIPTUGA, A. I; MALYUTENKO, V. K et al.Optics communications. 1985, Vol 55, Num 3, pp 185-187, issn 0030-4018Article

Useful relations for highly sensitive sensors based on carrier concentrationCHOVET, A; CRISTOLOVEANU, S; DAHER, Y et al.Physica status solidi. A. Applied research. 1983, Vol 76, Num 1, pp K43-K48, issn 0031-8965Article

Two-dimensional InSb array of IR emitters with alternating contrastMALYUTENKO, V. K; BOLGOV, S. S; MALYUTENKO, O. Yu et al.Infrared physics & technology. 2003, Vol 44, Num 1, pp 11-15, issn 1350-4495, 5 p.Article

Un-cooled infrared (8-12 μm) emitters of positive and negative contrastMALYUTENKO, V. K; BOLGOV, S. S; MALYUTENKO, O. Yu et al.Infrared physics & technology. 2004, Vol 45, Num 3, pp 217-222, issn 1350-4495, 6 p.Article

Influence de la pression hydrostatique sur la conductivité différentielle négative de type n dans les conditions de concentration magnétiqueGUGA, K. YU; KISLYJ, V. P; MALYUTENKO, V. K et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 8, pp 1490-1492, issn 0015-3222Article

Méthode sans contact pour la détermination du coefficient de diffusion ambipolaire des porteurs de charge hors d'équilibre dans les semiconducteurALMAZOV, L. A; MALYUTENKO, V. K; FEDORENKO, L. L et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 8, pp 1337-1340, issn 0015-3222Article

Etudes théorique et expérimentale de l'exclusion dans des échantillons de longueur finie. Caractéristiques courant-tension stationnairesAKOPYAN, A. A; VITUSEVICH, S. A; MALYUTENKO, V. K et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 10, pp 1783-1788, issn 0015-3222Article

Influence de l'état de surface sur l'exclusion des porteurs de charge dans les semiconducteursVITUSEVICH, S. A; MALOZOVSKIJ, YU. M; MALYUTENKO, V. K et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 5, pp 930-932, issn 0015-3222Article

Effect of current crowding on the ideality factor in MQW InGaN/GaN LEDs on sapphire substratesMALYUTENKO, V. K; BOLGOV, S. S.Proceedings of SPIE, the International Society for Optical Engineering. 2010, Vol 7617, issn 0277-786X, isbn 978-0-8194-8013-2 0-8194-8013-4, 1Vol, 76171K.1-76171K.9Conference Paper

Infrared emission of free carriers in semiconductors below the fundamental absorption edgeMALYUTENKO, V. K; BOTTE, V. A; CHERNYAKHOVSKY, V. I et al.Infrared physics. 1989, Vol 29, Num 1, pp 155-158, issn 0020-0891, 4 p.Article

Etude théorique et expérimentale de l'exclusion dans les échantillons de longueur finie. Processus transitoire lors de l'application d'un champ et caractéristiques courant-tension non stationnairesAKOPYAN, A. A; VITUSEVICH, S. A; MALYUTENKO, V. K et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 3, pp 471-478, issn 0015-3222Article

Instabilité spirale dans un champ électrique non homogèneKAPLAN, B. I; KOLLYUKH, A. G; MALYUTENKO, V. K et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 2, pp 355-357, issn 0015-3222Article

Effet de pincement dans un plasma d'électrons-trous à conductivité non intrinsèqueKOLLYUKH, A. G; MALOZOVSKIJ, YU. M; MALYUTENKO, V. K et al.ZETF. Pis′ma v redakciû. 1985, Vol 89, Num 3, pp 1018-1024, issn 0044-4510Article

Recombinaison et diffusion d'un plasma hors d'équilibre dans InSb aux niveaux d'excitation élevésALMAZOV, A. A; MALYUTENKO, V. K; FEDORENKO, L. L et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1983, Vol 17, Num 7, pp 1211-1216, issn 0015-3222Article

Investigation of contact exclusion in p-Ge long samplesKOPYAN, A. A. A; VITUSEVICH, S. A; MALYUTENKO, V. K et al.Journal of physics. Condensed matter (Print). 1992, Vol 4, Num 17, pp 4267-4272, issn 0953-8984Article

Influence of plasma oscillations on thermal emission spectrum of doped semiconductorsMALYUTENKO, V. K; MOROZHENKO, V. A; CHERNYAKHOVSKY, V. I et al.Infrared physics. 1992, Vol 33, Num 6, pp 583-587, issn 0020-0891Article